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Al-Ag合金γ相周围无沉淀带形成的机理研究

高英俊 , 赵妙 , 黄创高 , 蓝志强

贵金属 doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2005.01.001

运用固体经验电子理论(EET),对Al-Ag合金γ相的价电子结构以及γ相与基体的界面能进行了计算.结果表明,沉淀相与基体的界面处能量连续性较差,γ相的表面结合能高于基体的表面结合能,在界面处形成能量势阱.因此结合能大的γ相表面易吸附界面附近基体的Ag原子,引起γ相周围Ag原子的贫乏,出现γ相无沉淀带(PFZ).

关键词: 金属材料 , 价电子结构 , EET理论 , 表面能 , 无沉淀带

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