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沉积时间对Zn(O,S)薄膜性能及Cu2ZnSnSe4薄膜电池的影响

刘晓茹 , 李建军 , 刘玮 , 刘芳芳 , 敖建平 , 孙云 , 周志强 , 张毅

人工晶体学报

无镉材料Zn(O,S)因其带隙宽且可调节、无毒无害等优点被作为缓冲层材料重点研究,通过化学水浴法制备Zn(O,S)薄膜,研究了沉积时间的不同(20~35 min)对Zn(O,S)薄膜的成分、结构特性、光学性能及形貌的影响.通过XRD测试可知,水浴法制备的Zn(O,S)薄膜为非晶态.通过透反射谱测试可知,薄膜的光学透过率较高(>80%).通过表面形貌测试可知,30 min时Zn(O,S)薄膜为致密均匀的小颗粒.将Zn(O,S)薄膜应用在CZTSe电池中,在30 min时获得较高器件转换效率5.37%.

关键词: 无镉缓冲层 , 化学水浴法 , Zn(O,S) , CZTSe薄膜电池 , 沉积时间

铜基薄膜太阳电池无镉缓冲层的研究进展

彭柳军 , 杨培志 , 自兴发 , 宋肇宁

材料导报

铜基太阳电池是以具有含铜的黄铜矿结构化合物或其衍生物为吸收层的太阳电池,其中以CIGS为吸收层的薄膜太阳电池是目前效率最高的铜基太阳电池.典型的铜基太阳电池通常在窗口层和吸收层间加一层CdS缓冲层作为窗口过渡层,但由于Cd有毒,CdS带隙较小,因此人们对无镉缓冲层材料进行了广泛的探索研究.综述了铜基薄膜太阳电池无镉缓冲层研究进展,指出了作为缓冲层的结构和光电特性要求,比较了各类无镉缓冲层的不同制备方法,讨论了无镉缓冲层研究中存在的问题和今后发展的方向,特别指出锌基化合物是最有潜力的无镉缓冲层材料.

关键词: 无镉缓冲层 , 铜基薄膜太阳电池 , 制备方法

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