张吉晔
,
陈福义
,
闫晓红
贵金属
doi:10.3969/j.issn.1004-0676.2011.02.006
在ITO导电玻璃基体上应用电沉积方法制备了银纳米晶体,通过调节沉积电位,制备了形貌和尺寸可控的样品.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外可见光谱仪(UV -Vis)分别对样品的结构、微观形貌以及光学性质进行了表征.结果表明:沉积电位是在一定范围内决定银纳米晶体的生长速度和最终生长形态的直接因素,在沉积电位E= 0.2～0 V(SCE)之间观察到了沿(111)面择优生长引起的多面体晶体-枝晶转化；通过UV - Vis光谱发现,当E= -0.2V时,在350 nm处有一个区别于其它电位的明显的吸收峰.
关键词:
物理化学
,
银纳米晶体
,
晶体生长形态
,
表面等离子共振
张克从
,
李波
,
王希敏
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2000.01.002
本文采用水溶液缓慢降温法生长了4种双有机取代基TGS系列晶体.双有机取代基分别为L-α-丙氨酸+乙酸,L-α-丙氨酸+丙酸,L-α-丙氨酸+乳酸,L-α-丙氨酸+异丙醇胺.系统地研究了有机双取代基TGS系列晶体的生长形态、晶胞参数、主要的介电、热释电和铁电性能参数等,发现这几种双有机取代基TGS晶体的品质因子有不同程度地提高.并从结构的角度出发探讨了双有机取代基对晶体生长形态和晶体性能的影响机制,提出了有机取代基分子本身的结构特征和有机取代基中的功能基团是影响TGS晶体形态和性能的两大因素.
关键词:
TGS晶体
,
双有机取代基
,
晶体生长形态
,
热释电性能
,
铁电性能
,
溶液晶体生长
