郭永庆
,
冯旺军
,
李翠环
,
陈映杉
材料科学与工程学报
粉末反应中MgB2成相过程可分三步完成：两种粉粒由于热运动接触碰撞,做反相微幅受迫振动,形成MgB2成相区;两个硼原子接近,价轨道发生sp2杂化,反应生成B2,镁原子的两个3s价电子自旋相反且成对填入B2的π轨道形成π键生成MgB2,此即MgB2初始晶核。初始晶核有不对称的电场分布和四个外露半满杂化电子轨道;初始晶核分别沿a和c三个轴六个方向接近反应,生长成单晶晶粒。晶粒表面的外露半满杂化电子轨道、镁离子和电子的局域电场可能将相邻晶粒中的晶格周期性接通,形成库伯对穿过晶粒界面的通道;不同晶面中的两种化学键可能导致两种费米分布、两种库伯对和双能隙。利用初始晶核顺磁性和晶粒表面局域电子,对成相过程可做进一步试验检验。
关键词:
MgB2
,
sp2杂化
,
晶核
,
晶核生长
郭永庆
,
冯旺军
,
李翠环
,
陈映杉
低温物理学报
根据镁和硼的基本化学性质、杂化轨道理论、前线轨道理论和粉末反应理论,分析了粉末反应中MgB2晶核的形成及生长过程.这一过程可分为三步完成：1.两种粉粒碰撞接触后,做反相微幅受迫振动,这种振动产生晶核的形成及生长区;2.两个硼原子相遇,价轨道经sp2杂化后形成B2,镁原子的两个3s价电子填入B2的π轨道形成π键,生成MgB2,此即MgB2初始晶核;3.初始晶核以确定的杂化轨道平面方向,分别沿c轴和a轴相互接近反应,形成晶核沿a和c三个轴六个方向的生长,B2的π键演化成共轭大π36键,镁处于硼层的六角中心,最终形成MgB2单晶晶粒.固-液界面处更有利于较大晶粒的形成.合成温度较高时晶粒较大,由初始晶核可能会形成MgB4和MgB7等.
关键词:
MgB2
,
sp2杂化
,
晶核
,
晶核生长
张玉
,
荆海
,
付国柱
,
高博
,
廖燕平
,
李世伟
,
黄金英
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.01.008
采用催化化学气相沉积法(Cat-CVD)制备多晶硅(p-Si)薄膜的初期会形成一层比较厚的非晶硅(a-Si)孕育层.这层孕育层作为p-Si的前驱生长物,给p-Si的晶化提供晶核,同时这层薄膜又存在较多的缺陷,严重影响了p-Si器件的性能.文章采用p-Si的间断生长,对预先沉积的a-Si孕育层进行数分钟的氢原子刻蚀,目的是刻蚀掉有严重缺陷的Si-Si键,保留与晶体硅匹配的Si-Si键,促进晶核形成,抑制孕育层的再生长.经XRD和SEM测试发现,间断p-Si的生长,经若干分钟的H原子处理后多晶硅很快就形成,结晶取向在(111)面上最强,晶粒尺寸平均为80 nm.而传统方法连续生长20 min的硅薄膜经XRD测试未出现多晶硅特征峰.结果表明,用Cat-CVD制备p-Si薄膜,间断生长过程,用氢原子处理预先沉积的一层a-Si孕育层,可以抑制孕育层的生长,提高了p-Si薄膜的晶化速率.
关键词:
催化化学气相沉积法
,
多晶硅薄膜
,
非晶硅孕育层
,
氢原子刻蚀
,
晶核
,
晶化速率
王建
,
周洪英
,
王明艳
,
李善忠
,
马卫兴
,
许兴友
,
姜培琴
,
王宝国
,
沈国强
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.03.038
对过饱和溶液在施加一定的流体压力差使之循环流动,实验结果测算草酸、草酸钠、硼酸和磷酸氢二钠等在不同温度下饱和溶液降温结晶时流动电位随时间的变化规律.实验结果表明流动电位大小与结晶物质的种类、温度和浓度有关,同时易受外界因素的干扰,实验数据的严格重现较难.但多次实验结果都显示:过饱和溶液在某一温度下形成晶核过程中其流动电位均发生显著变化;当饱和溶液起始结晶温度较高时,其流动电位突变点温度也更高.
关键词:
流动电位
,
晶核
,
结晶
