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纳米氧化锌半导体块材晶粒生长的研究

秦秀娟 , 邵光杰 ,

功能材料

以平均粒径20nm的ZnO超微粉为原料,研究了纳米ZnO块材烧结过程中的晶粒生长行为,由实验结果得出:在700～900℃温度范围内,纳米ZnO烧结的晶粒生长动力学指数n为6,晶粒生长的表观活化能Q为64kJ/mol,导出了纳米ZnO的晶粒生长动力学方程.与粗晶ZnO的晶粒生长进行了对比,初步分析了纳米ZnO的烧结机制.

关键词: 纳米烧结 , ZnO纳米块材 , 晶粒生长的动力学指数 , 表观活化能