张文峰
,
李建蓉
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2009.01.012
通过直流复合电沉积和脉冲复合电沉积分别制备出纳米复合电铸层,探讨了复合电铸层中纳米颗粒复合量对基质金属晶面取向的影响.结果表明,纳米颗粒的存在改变了基质金属镍的晶体择优取向.当复合电铸层中纳米颗粒的复合量较少时,基质金属Ni沿(200)晶面结晶取向较强,而当复合电铸层中ZrO2复合量较大时,基质金属Ni的择优取向不明显.
关键词:
纳米颗粒
,
复合电铸层
,
复合量
,
晶面取向
,
择优取向
周祖源
,
陈广超
,
周有良
,
吕反修
,
唐伟忠
,
李成明
,
宋建华
,
佟玉梅
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.005
在100kW级DC Plasma Jet CVD设备上,采用Ar-H2-CH4混合气体,通过控制工艺参数,在Mo衬底上获得不同占优晶面和应力状态的膜体结构.研究表明:不同取向的晶面在膜体中的分布不同,但各晶面随沉积温度的变化规律是相似的,在900℃左右容易获得较大的(220)晶面占优的膜体结构;薄膜的内应力沿晶体生长方向逐渐减小,且随沉积温度或甲烷浓度的增大而增大;具有高取向度的膜体将获得较为平整的表面.
关键词:
自支撑CVD金刚石薄膜
,
晶面取向
,
内应力
,
表面粗糙度
段静芳
,
许小红
,
武海顺
,
李佐宜
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2003.05.012
采用直流磁控溅射法制备SmCo/Cr薄膜磁记录材料, 通过改变Cr底层制备过程中的功率、靶基距、溅射压强和溅射时间, 得到了磁性能不同的SmCo/Cr薄膜. 利用X射线衍射法对Cr底层晶面取向和磁控溅射参数之间的关系进行了研究, 结果表明: 如果改变溅射参数, 使沉积Cr原子获得较大的能量, 则有利于Cr底层最终以(110)晶面择优取向. 本实验中Cr底层以(110)晶面择优取向的最佳实验条件为: 溅射功率在50～70 W左右, 靶基距为6 cm, 压强为0.5 Pa, 溅射时间为15 min. 利用振动样品磁强计(VSM)测定SmCo/Cr薄膜的磁学性能, 结果表明, 如果Cr底层能以(110)晶面择优取向, 所得到的SmCo/Cr薄膜的磁学性能较好.
关键词:
铬底层
,
晶面取向
,
溅射参数
,
SmCo/Cr薄膜
,
矫顽力
鲁道荣
,
何建波
,
李学良
,
林建新
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2000.09.013
采用线性电位扫描法、循环伏安法、电导测定及XRD,XPS法等研究了高浓度Bi3+离子存在于酸性CuSO4电解液中对Cu电解精炼阴极过程的影响.研究表明:Bi3+离子的存在减小了电解液的电导率,降低了阴极Cu沉积反应的交换电流密度、极限电流密度和峰电流密度,对Cu沉积反应起极化作用.在通常电流密度200 A·m-2下电解,Bi不会在阴极沉积,但促使Cu沉积的晶面220择优取向更加突出.在高电流密度1000 A·m-2下电解,Bi以Bi2O3形式存在于沉积层中,Cu沉积的晶面择优取向为111.
关键词:
Cu电解精炼
,
Bi
,
极化作用
,
晶面取向
杨芬
,
王春霞
,
刘辉
,
彭雄宇
电镀与精饰
doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2016.10.002
采用X-射线衍射和电化学测量法研究糖精钠和硫酸铈两种添加剂对电镀镍始极片的晶面取向、晶粒大小以及耐蚀性的影响.结果表明,在镀镍溶液中加入糖精钠或硫酸铈对镀层晶面取向、晶粒大小均有影响,晶面取向都呈现(200)择优,且晶粒都更细小.镀层的极化曲线显示糖精钠和硫酸铈都能使其自腐蚀电位更负,而对其腐蚀速率都有减缓作用,厚镍始极片作为电镀阳极时有利于电极的均匀溶解.
关键词:
糖精钠
,
硫酸铈
,
始极片
,
晶面取向
,
晶粒
