马楠
,
邓军
,
史衍丽
,
沈光地
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.02.015
在多量子阱红外探测器外延材料制备中,由于器件响应波长对量子阱的阱宽和垒高变化敏感,因此对外延材料的制备有很高的要求.本文中我们利用光致荧光谱(PL)对GaAs/AIGaAs多量子阱红外探测器材料进行了测量和计算,从而在器件工艺前,快速确定器件的探测波长.以光致荧光光谱对GaAs/AIGaAs多量子阱红外探测器材料进行测试,通过理论计算,得到多量子阱红外探测器探测波长.计算得到的理论响应波长与实际器件的响应波长有良好的一致性,证明用光荧光谱对外延材料进行测量并计算,能够更加有效地开展器件研究工作.同时,我们在低温下测量了外加偏压下器件暗电流情况,以及液氮温度下,500K黑体辐射情况时,信号噪声比达到235.3.
关键词:
红外
,
QWIP
,
暗电流
,
光荧光谱
郝国强
,
张永刚
,
顾溢
,
刘天东
,
李爱珍
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.02.014
从理论和实验上分析了双异质结In0.53Ga0.47As PIN光电探测器在不同的反向偏置电压下暗电流在甚宽温度范围内的温度特性.结果表明:在反向偏置低压与高压段,产生-复合电流与隧道电流(缺陷隧道电流与带带间隧道电流)分别占主导地位,并呈现出相应的温度特性.还从理论与实验两方面探讨了噪声对探测器R0A的影响,结果表明:在低温段,产生-复合噪声起主要作用,在高温段,俄歇复合噪声起主要作用.
关键词:
光电探测器
,
暗电流
,
探测率
,
温度特性
孙柏蔚
,
胡晓宁
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2007.02.018
对三种不同工艺的HgCdTe长波器件(标准工艺、回熔处理、离子注入后退火)的Ⅰ-Ⅴ性能分别进行测试,并通过理论计算与实验数据拟合提取上述器件参数,分析暗电流机制及导致暗电流变化的原因.文章中使用的暗电流机制的模型由扩散电流、产生-复合电流、缺陷辅助隧道电流和直接隧道电流组成.从拟合得到的器件参数中可以发现回熔过程中产生了大量的缺陷,导致缺陷辅助隧道电流、产生复合电流显著增加,器件反偏电阻减小,Ⅰ-Ⅴ性能变差.与离子注入后退火器件的性能变化相比,推测导致器件回熔后性能下降的原因是ZnS钝化层受热不稳定.
关键词:
光电子学
,
HgCdTe长波器件
,
回熔
,
暗电流
焦磊
,
金仕纶
,
李加兴
,
王建松
,
杨彦云
,
马朋
,
马军兵
,
白真
,
刘星泉
,
周济人
,
段芳芳
,
张兴
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.34.02.190
介绍了Si-APD的工作原理并对Si-APD中的暗电流进行了理论分析.基于RIBLL上产生的放射性核束流,使用CsI(Tl)+Si-APD探测器对中能重离子进行了能量测试.测试结果显示,CsI(Tl)+Si-APD探测器测量20 MeV/u的重离子时,可得到3%的能量分辨;同时还发现Si-APD中的暗电流大小以及入射粒子的能量大小都会对探测器的能量分辨产生影响.
关键词:
暗电流
,
CsI(Tl)
,
Si-APD
,
能量分辨
