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HgI2晶体最低生长温度的确定

许岗 , 谷智 , 坚增运 , 惠增哲 , 刘翠霞 , 张改

人工晶体学报

为确定HgI2晶体的最佳生长温度,根据邻位面生长的台阶动力学,推导出HgI2分子在(001)面扩散激活能ESD约为0.33 eV,进而采用物理气相沉积法的基本理论推算了不同升华温度T1下HgI2晶体生长的最低温度Tmin.结果表明,计算结果与实际晶体生长温度基本一致.该结果为HgI2单晶体、多晶薄膜、单晶薄膜沉积工艺的优化提供了依据.

关键词: 碘化汞 , 物理气相沉积 , 最低生长温度