王浩
,
周卿军
,
简科
,
邵长伟
,
朱旖华
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2013.1255
采用st(o)ber法制备出单分散氧化硅小球,并以此为模板,结合先驱体转化技术成功制备出C/SiC复合材料纳米有序多孔陶瓷接头,并对该接头制备工艺条件作了优化.对制备出的C/SiC多孔陶瓷接头分别采用先连后浸法(SJM)和直接浸渍法(DSM)进行了连接.结果显示,两种方法连接的连接件的抗弯强度分别达82.4和20.5 MPa,表明C/SiC多孔陶瓷接头采用SJM连接较好.
关键词:
C/SiC复合材料
,
连接
,
先驱体转化技术
,
模板技术
,
有序多孔陶瓷接头
