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双极性菲并咪唑类有机发光材料的合成与性能

邵晶 , 赵鑫 , 林朝阳 , 翟荣佳 , 尹妮

材料科学与工程学报

以咔唑、菲醌等为原料合成了三种菲并咪唑类有机小分子3a、3b和3c,并研究了其光谱、电化学和热稳定性.结果表明,化合物3a、3b和3c在二氯甲烷稀溶液中属于近紫外发射,而在薄膜状态下发出蓝色荧光;循环伏安法检测表明,3a、3b和3c的HOMO能级均在-5.88~-5.99eV之间,与阳极ITO的能级相匹配,LUMO能级均在-2.64~-2.77eV之间,接近于常用的电子输入材料PBD(-2.82eV),因此这三种化合物同时具有空穴传导和电子传导的双极性质;3a、3b和3c的热分解温度均在300℃以上,热稳定性优良.综上所述,3a、3b和3c是一类具有潜在应用前景的新型双极发光材料.

关键词: 菲并咪唑 , 双极性 , 合成 , 光物理性能 , 有机发光材料

有机电致发光器件的研究进展

杨定宇 , 蒋孟衡 , 杨军

材料导报

有机电致发光器件(OELD)具有驱动电压低,功耗小,亮度高,响应速度快等优点,由其制作有机发光显示器件已被视为下一代最理想的显示技术.在简要介绍OELD器件结构、发光机理和制备工艺的基础上系统阐述了有机发光材料、OELD显示器件及驱动技术的研究进展,最后展望了该领域目前存在的问题及可能的解决方向.

关键词: 有机电致发光器件 , 器件结构 , 制作工艺 , 有机发光材料 , 驱动技术 , 显示面板

单取代聚乙炔的荧光光谱在低温下的裂变

周甫方 , 黄远明

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2007.04.025

在18至300 K的温度范围内,对聚乙炔的一种单取代衍生物的荧光特性进行了研究.在室温时,这种聚乙炔的单取代衍生物的薄膜能够发出强的绿色荧光,其荧光光谱的主要荧光峰位于510 nm,而它的两个次要荧光峰分别位于440 nm和380 nm.位于510、440 nm的两个荧光峰分别是该高分子材料所形成的激发缔合物的主要和次要发光峰,而位于380 nm的荧光峰是单条高分子链的发光峰.当温度从300 K降到18 K的过程中,原荧光光谱发生中的激发缔合物的主要发光峰从510 nm逐渐红移到570 nm,而其激发缔合物的次要发光峰逐渐消失;与此同时,该高分子材料的380 nm的荧光峰逐渐与主荧光峰分开.这些光谱方面的变化可用该高分子在低温下所发生的结构上的变化来解释.

关键词: 光电子学 , 有机发光材料 , 光荧光 , 低温效应 , 单取代聚乙炔

带有咔唑支链的聚乙炔的发光特性研究

薛清 , 黄远明

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2007.06.017

在室温下,对单取代聚乙炔(PACz-1)和两种双取代聚乙炔[PACz-2(m=3)、PACz-2(m=9)]的荧光特性和电子结构进行了研究.每种聚乙炔的支链上有一个咔唑单元.虽然它们的分子结构不同,但它们的稀溶液却有相同的吸收峰和强的绿色荧光发射峰,并且它们的吸收谱和发射谱很相似.当溶液的浓度增大到~1×10-3M时,发现有强的绿色荧光发射,峰位位于475 nm.运用Huckel扩展紧束缚计算方法,从理论上计算了带咔唑支链的聚乙炔的电子结构.结果表明单取代聚乙炔和两种双取代聚乙炔的吸收峰、低浓度下的360 nm紫外光发射峰与高浓度下的475 nm的绿色荧光峰都是由于聚乙炔支链上咔唑生色团引起的.

关键词: 光电子学 , 有机发光材料 , 光荧光 , 高分子共轭的主链

带支链聚乙炔液晶高分子的合成与光学特性

薛清 , 黄远明

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2008.02.024

在室温下,对聚乙炔的一种单取代衍生物的荧光特性进行了研究.这种聚乙炔的单取代衍生物的薄膜能够发出强的绿色荧光,其荧光光谱的主要荧光峰位于510 nm,而它的两个次要荧光峰分别位于440 nm和380 nm.位于510 nm、440 nm的两个荧光峰分别是该高分子材料所形成的激发缔合物的主要和次要发光峰,而位于380 nm的荧光峰是单条高分子链的发光峰.这些光谱方面的变化可用该高分子发生的结构上的变化来解释.

关键词: 光电子学 , 有机发光材料 , 光荧光 , 单取代聚乙炔

有机发光材料8-羟基喹啉钕的合成、表征和薄膜制备

邢宏伟 , 彭应全 , 宋长安 , 杨青森 , 李训栓 , 袁建挺

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.02.001

介绍了制备高纯度有机发光材料8-羟基喹啉钕(Ndq3)和生长Ndq3薄膜的方法.通过X-射线衍射谱、红外吸收光谱、紫外吸收光谱以及荧光光谱测试分析,对Ndq3粉末和薄膜的结构和特性进行了表征.标定了Ndq3中喹啉环的存在;计算得出Ndq3的禁带宽度为2.8 eV;证实了Ndq3分子中的Nd-O键为共价键而非离子键;测得Ndq3的荧光发射光谱位于472 nm(蓝光区域);证明了光激发位于喹啉环上而不是金属Nd3+上.与Al和Zn的金属螯合物相比,Ndq3中的Nd3+成键共价键较强,极化力较弱.对不同衬底温度下生长的Ndq3薄膜做了XRD分析,发现Ndq3薄膜呈多晶态,且随温度升高,衍射单峰逐渐增强,显示Ndq3薄膜的结晶性能随衬底温度的升高变好,结晶晶粒尺度也随着衬底温度的升高逐渐变大,薄膜表面形貌更加均匀.

关键词: 有机发光材料 , 8-羟基喹啉钕 , 薄膜制备 , 性能表征

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