万齐欣
,
熊志华
,
李冬梅
,
刘国栋
,
甘丽新
人工晶体学报
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对Ag掺杂ZnO体系中Ag缺陷和本征缺陷复合体的几何结构、形成能和电子结构进行了比较研究.研究表明,Ag代替Zn位(AgZn)可以在ZnO中形成受主能级.同时,研究发现, Zni-AgZn和Oi-AgZn的形成能较小,存在的可能性较大.其中,Zni-AgZn 呈现明显的n型导电特性,而Oi-AgZn具有p型导电的趋势.因此Oi-AgZn有利于p型ZnO的形成.
关键词:
Ag掺杂ZnO
,
本征缺陷
,
第一性原理
,
电子结构
张纪伟
,
金振声
,
张经纬
,
李秋叶
,
张治军
影像科学与光化学
doi:10.7517/j.issn.1674-0475.2015.04.285
为阻止纳米管钛酸在转变为新型锐钛矿TiO2时管状结构的破坏,先在纳米管钛酸的内、外表面化学吸附一层物质,用以保护纳米管钛酸在脱水转变为新型锐钛矿TiO2的过程中,管状结构不断裂、不塌陷,然后再除去表面的吸附物质,即可制得纯净的新型TiO2纳米管.新型TiO2纳米管有望应用于可见光“全”分解水制H2、药物缓释剂以及纳米反应器等研究.
关键词:
纳米管钛酸
,
本征缺陷
,
新型TiO2纳米颗粒
,
新型TiO2纳米管
程萍
,
张玉明
,
张义门
人工晶体学报
采用平面波展开和第一原理赝势法对4H-SiC理想晶体及与Vsi有关的电中性微观本征缺陷(Vsi、Vc-Vsi 、Vc-C、Vsi-Si)的超晶胞进行计算.结果发现:0 K且忽略原子驰豫时,电中性本征缺陷VC-C和Vsi的形成能相差为4.472eV,在此基础上分析了亚稳定型本征缺陷Vsi向稳定型本征缺陷Vc-C转化的理论依据及转化方式,首先发生转移的是h晶格位置上的Si原子,与非故意掺杂4H-SiC外延材料在氙光激励作用下的ESR结果吻合较好.
关键词:
本征缺陷
,
第一性原理
,
形成能
,
4H-SiC
夏贯芳
,
刘廷禹
,
张涵
,
高肖丽
人工晶体学报
采用GULP软件研究了硅酸镥晶体的本征缺陷、力学性质和氧空位的迁移.采用已有的势参数计算得到的结构参数与实验结果吻合的很好.与其他的氧空位相比,Vo5的缺陷形成能最低,因此氧空位主要以Vo5的形式存在.O的弗伦克尔缺陷具有最低的缺陷形成能,所以氧的弗伦克尔缺陷可能是晶体中存在的最主要的本征缺陷.本文还计算了晶体的弹性常数、体积模量、压缩系数、杨氏模量、泊松比率等力学性质.通过计算相邻氧格位之间氧空位的迁移能,发现O1,O2,O3和O4之间的迁移比较容易.
关键词:
硅酸镥晶体
,
力学性质
,
本征缺陷
,
氧空位
郭保智
,
刘永生
,
房文健
,
徐娟
,
武新芳
,
彭麟
硅酸盐通报
氧化锌是一种宽禁带半导体,在太阳能、光电显示等方面有广泛的应用.制约其应用的是p型氧化锌很难得到,其中一个原因在于本征氧化锌n型导电的原因不明确.本文综述了氧化锌n型导电的机理,重点分析了本征缺陷和非故意掺杂氢对氧化锌n型导电的影响.
关键词:
氧化锌
,
n型导电
,
本征缺陷
,
非故意掺杂
赵朝珍
,
刘廷禹
,
李妍
人工晶体学报
本文利用晶格动力学GULP软件模拟计算了理想立方结构LaMnO3晶体的本征缺陷以及氧空位迁移能.利用离子之间的相互作用势计算得到的结果与实验结果吻合得很好.同时计算了理想立方结构LaMnO3的体弹模量,杨氏模量,泊松率,弹性常数,静介电常数,高频介电常数.通过对本征缺陷形成能的分析得到以下结论:LaMnO3晶体中主要存在的各类缺陷为氧空位、填隙锰、氧的夫伦克尔缺陷和锰替位镧反位缺陷；氧空位的迁移能为0.362 eV,它表明氧在晶体中容易迁移.
关键词:
LaMnO3晶体
,
钙钛矿
,
本征缺陷
,
模拟计算
李妍
,
刘廷禹
,
赵朝珍
人工晶体学报
本文运用晶格动力学软件GULP模拟计算了磷酸镓晶体的物理性质和本征点缺陷.利用弛豫拟合技术,根据晶体结构和部分物理性质数据拟合了GaPO4晶体中离子间的相互作用势,利用拟合好的势参数计算得到的结果与实验结果吻合得很好.在此基础上计算理想GaPO4晶体的力学和热学性质,并计算晶体本征缺陷的形成能,结果表明氧空位和氧的弗伦克尔缺陷在晶体中较易出现,而镓的弗伦克尔缺陷则是晶体中最容易形成的缺陷类型.
关键词:
磷酸镓晶体
,
相互作用势
,
本征缺陷
,
形成能
应杏娟
,
杨齐
人工晶体学报
本文利用晶格动力学软件GULP模拟计算了钨酸钡晶体的本征点缺陷,首先利用驰豫拟合的方法得到离子之间的相互作用势,利用这些相互作用势计算得到的结果与实验结果吻合得很好,在此基础上计算晶体本征缺陷的生成能,通过对本征点缺陷生成能的分析得到以下结论:钨酸钡晶体内V2+O的数量要大于V2-Ba的数量;钨酸钡晶体内缺陷态主要以V2-Ba-V2+O空位对和F色心形式存在.
关键词:
钨酸钡晶体
,
本征缺陷
,
模拟计算
程萍
,
郝建民
兵器材料科学与工程
利用电子自旋共振仪分析了C+、Si+对高质量4H-SiC外延片中本征缺陷ESR谱的影响.结果表明:与原始样品相比,C+、Si+离子注入不仅降低了外延片中的本征缺陷浓度,同时可导致本征缺陷种类发生变化;Si+注入使样品中本征缺陷浓度降低约61％,而C+注入使本征缺陷浓度降低达63％以上.
关键词:
4H-SiC
,
离子注入
,
本征缺陷
