季尚司
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左然
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苏文佳
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韩江山
人工晶体学报
铸锭中过高的杂质浓度是影响铸造多晶硅太阳电池效率的主要因素之一.本文通过数值模拟的手段研究了不同的表面涂层厚度和涂层渗透率对生长过程中O,C杂质的影响,研究表明涂层厚度能够很明显的降低晶体中O,C的含量.同时涂层的渗透系数越小,O,C杂质在晶体中的分布含量越低.
关键词:
铸造多晶硅
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杂质传输
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Si3N4涂层
,
数值模拟
季尚司
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左然
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苏文佳
,
韩江山
材料导报
铸锭中过高的杂质浓度是影响铸造多晶硅太阳电池效率的主要因素之一.铸锭生长过程中的杂质主要有C、N、O、金属离子及固体颗粒SiC和Si3 N4.这些杂质能够降低晶片中少数载流子的寿命及太阳电池的填充因子；同时固体颗粒会造成切片过程的断线和晶片表面产生划痕.设计了一种新的方法生长大晶粒多晶硅,对石墨垫板进行刻槽处理,并采用数值模拟的方法模拟了该生长过程杂质的传输.模拟结果表明,刻槽的深度明显影响着初始生长时结晶界面上O、C和N的分布；同时刻槽深度越大,生长速率越快,越能够抑制晶体中SiC和Si3N4的形成.
关键词:
铸造多晶硅
,
点冷却
,
杂质传输
,
数值模拟
