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杂质原子在面心立方晶体中诱发的成对挛晶

材料科学与工艺 doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2006.06.007

为研究杂质原子在面心立方晶体内诱发的孪晶,采用刚性球模型进行计算研究.计算结果表明,当杂质元素的原子半径与晶体的原子半径之比约为1.65时,如果杂质原子吸附在面心立方晶体的{111}晶面上时,将可能在该{111}面上的某个[112]晶向上及与该{111}面的该[112]晶向成109.5°的另一个{111}面上的某个[112]方向上同时诱发挛晶,即诱发成对的挛晶,而不是仅仅在原来的{111}晶面上诱发一处孪晶.杂质原子诱发成对孪晶及单孪晶的的可能性各为50%.

关键词: 成对的挛晶 , 面心立方 , 杂质原子 , 共晶硅 , 变质

Al,Si,Mn,Cu杂质原子在纯Ni激光熔凝过程中的重新分布

郑玲 , 邹至荣 , 刘江龙

金属学报

本文重点测量了Al,Si,Mn,Cu杂质原子在纯Ni激光慢速重熔过程中的重新分布。建立了一维传热的解析解模型。对杂质原子重新分布的规律提出了合理的解释。研究结果表明:固液界面溶质再分配是导致深度方向杂质原子重新分布的主要原因。此外,杂质原子从低温向高温区的扩散以及表面杂质原子的选择性蒸发对分布规律的形成也具有不可忽视的贡献。

关键词: Ni , laser melting , impurity atom , redistribution

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杂质原子在面心立方晶体中诱发的成对挛晶

Al,Si,Mn,Cu杂质原子在纯Ni激光熔凝过程中的重新分布

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