王金普
,
白林山
,
储向峰
人工晶体学报
利用自制的抛光液对硬盘微晶玻璃基板进行化学机械抛光.研究了抛光压力、SiO2浓度、pH和氧化剂过硫酸铵浓度等因素对材料去除速率MRR和表面粗糙度Ra的影响,系统分析了微晶玻璃抛光工艺过程中的影响因素,优化抛光工艺条件,利用原子力显微镜检测抛光后微晶玻璃的表面粗糙度.结果表明:当抛光盘转速为100 r/min、抛光液流量为25 mL/min、抛光压力为9.4 kPa、SiO2浓度为8wt％、pH=8、过硫酸铵浓度为2wt％时,能够得到较高的去除速率(MRR=86.2 nm/min)和较低表面粗糙度(Ra=0.1 nm).
关键词:
微晶玻璃
,
化学机械抛光
,
表面粗糙度
,
材料去除率
李鹏鹏
,
李军
,
王建彬
,
夏磊
,
朱永伟
,
左敦稳
人工晶体学报
为获得高材料去除率和优表面质量的蓝宝石衬底,采用固结磨料研磨蓝宝石衬底提高加工效率,研究研磨压强、工作台转速、三乙醇胺(TEA)浓度和研磨垫类型四个因素对材料去除率和表面粗糙度的影响,并综合优化获得高材料去除率和优表面质量的工艺参数.结果表明:有图案的研磨垫、研磨压强为100 kPa、工作台转速为120 r/min、三乙醇胺的浓度为5％为最优研磨工艺参数组合,固结磨料研磨蓝宝石的材料去除率为31.1 μm/min,表面粗糙度为0.309 μm.
关键词:
固结磨料
,
研磨
,
蓝宝石衬底
,
材料去除率
,
表面粗糙度
邓乾发
,
袁巨龙
,
文东辉
,
陶黎
,
王志伟
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2009.04.001
非晶态Ni-Pd-P合金薄膜具有非常好的热传导性和耐磨性,因而被广泛用作防护镀层.铜片由于其良好的导电性能被选为生长非晶态Ni-Pd-P合金薄膜的衬底材料.主要研究半固着磨具精密研磨非晶态Ni-Pd-P合金薄膜铜片衬底,以铜片衬底的表面粗糙度和材料去除率为评价指标,探讨了研磨过程中不同的工艺参数对铜片表面粗糙度和材料去除率的影响.结果表明:用800# SiC半固着磨具对铜片衬底进行研磨加工,10min后铜片表面粗糙度Ra可由0.553μm减小到0.28μm,同时表面无深划痕.加工后的铜片再经金刚石研磨膏抛光可快速获得满足Ni-Pd-P合金薄膜生长用的铜片衬底表面.
关键词:
铜片衬底
,
半固着磨具
,
表面粗糙度
,
材料去除率
,
Ni-Pd-P合金
,
薄膜
赵研
,
左敦稳
,
孙玉利
,
王珉
人工晶体学报
在分析了单晶锗片低温抛光工艺的基础上,进行了四种不同参数的单晶锗片低温抛光实验.分析了不同温度条件下,单晶锗片去除速率的变化原因,提出了基于醚类辅助抛光液的自锐型低温抛光工艺,为冰冻固结磨料抛光单晶锗片的研究开辟了新途径.结果表明:环境温度对冰冻固结磨料抛光盘表层融化速率影响显著,10℃时即会导致融化过快;抛光区域摩擦产生的热量小于环境温度-10℃时的对流换热,会导致冰盘表面二次凝固;环境温度-10℃时加入醚类辅助抛光液可实现冰盘在低温下的自锐性.
关键词:
单晶锗片
,
抛光
,
材料去除率
,
自锐性
肖强
人工晶体学报
为了提高SiC单晶片的加工效率,降低表面粗糙度,通过实验对比研究了普通研磨与超声波辅助研磨两种研磨工艺.实验表明,超声波辅助研磨SiC单晶片材料去除率是普通研磨的两倍,表面粗糙度值也有显著降低.本文同时分析了材料去除率提高与表而粗糙度值降低的原因.
关键词:
SiC单晶
,
超声研磨
,
表面特征
,
材料去除率
林魁
,
朱永伟
,
李军
,
李茂
,
左敦稳
硅酸盐通报
为提高光学材料的研磨效率与质量,提出一种亲水性固结磨料研磨方法.采用图形转移与UV固化工艺,将粒径为5～10 μm的金刚石磨料固结于亲水性光固化树脂中,制备固结磨料研磨抛光垫(FAP).选取工件的材料去除率(MRR)和表面粗糙度(Sa)来评价研磨的加工性能.对比研究了在相同粒径磨粒下的游离磨料研磨、固结磨料丸片研磨、及亲水性FAP研磨三种不同方法对K9光学玻璃的加工性能.实验结果表明:采用FAP研磨K9玻璃,MRR为350 nm/min,表面粗糙度Sa为3.24 nm,达到了精研的加工效率和抛光的表面质量.提出了固结磨料抛光丸片和亲水性FAP的加工模型,以及亲水性FAP的自修整机理.
关键词:
亲水性
,
固结磨料抛光垫
,
材料去除率
,
自修整
于爱兵
,
马廉洁
,
于思远
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2006.02.014
对氟金云母可加工玻璃陶瓷进行钻削加工,用扫描电镜观察材料的已加工表面,分析氟金云母玻璃陶瓷钻削加工特性,考察刀具材料、冷却条件、主轴转速、刀具角度等参数对可加工陶瓷材料去除率的影响.结果表明:刀具材料和冷却方式是影响玻璃陶瓷材料加工去除的主要因素.因为存在刀具的磨损,氟金云母玻璃陶瓷的钻削加工应选用硬质合金刀具,而不选用高速钢刀具.采用冷却可以大幅提高加工效率.选择适当的钻削工艺参数,可以提高氟金云母玻璃陶瓷的材料去除率.
关键词:
可加工陶瓷
,
玻璃陶瓷
,
钻削
,
氟金云母
,
材料去除率
王庆仓
,
张晓东
,
苏建修
,
祝伟彪
,
郗秦阳
,
朱鑫
,
裴圣华
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.04.025
目的：提高SiC单晶片的材料去除率,改善加工后的表面质量。方法进行研磨液试验,利用极差法得到研磨液的最优配比和研磨液成分中影响去除率的主次因素顺序；对主要影响因素进行单因素试验并考察对材料去除率的影响。结果研磨液的质量为50 g,最优配方为：助研剂、分散剂、增稠剂、润滑剂、磨料A、磨料B的质量分别为9,7,5,3,3,5 g,其余为调和剂,磨料A和磨料B的粒度均为W28。结论影响材料去除率的主要因素为磨料粒度,粒度越大,材料去除率越高。
关键词:
化学机械研磨
,
研磨液
,
碳化硅单晶片
,
材料去除率
,
表面质量
王陈
,
李庆忠
,
朱仌
人工晶体学报
针对超声波雾化施液化学机械抛光过程中磨料的机械作用和化学特性从化学动力学及分子动力学两方面研究了抛光液磨料粒度对材料去除速率的影响和机理.采用不同粒度的磨料及组合进行了雾化施液CMP抛光实验.实验结果表明:磨料粒径在15 nm至30 nm范围内,粒度比较大的磨料能够传递更多的机械能,较小的磨料比较大的磨料具有更强的化学活性,对硅片表面材料的去除影响更为显著.向当前抛光液中加入5wt％的15 nmSiO2时,材料去除率增加至196.822 nm/min,而加入相同质量的30 nm SiO2时,材料去除率增加至191.828 nm/min.说明小尺寸的磨料在雾化施液CMP过程中不仅起着机械作用,还起着增强化学活性的作用.
关键词:
超声波
,
雾化施液
,
CMP
,
磨料粒径
,
材料去除率
王加顺
,
朱永伟
,
徐胜
,
徐俊
,
李军
人工晶体学报
通过化学镀镍的方法,分别在两种粒径的金刚石表面镀覆一层增重率不同的Ni-P合金层,利用SEM分析了镀层微观形貌;并将其与树脂混合制备成固结磨料研磨垫,分别作为粗研和精研使用,探索了其加工特性.结果表明:镀层增重率可以明显改变金刚石镀层的微观形貌;精研过程的摩擦系数、材料去除速率和工件表面粗糙度均随着镀层增重率增大呈现先增大后减小的趋势,在镀层增重率30％时达到最大值;粗研过程的材料去除速率和工件表面粗糙度随着镀层增重率增大呈现先增大后减小的趋势,在镀层增重率50％时达到最大值;粗研过程对磨粒把持力的要求高于精研过程.
关键词:
金刚石磨粒
,
研磨
,
镀镍
,
固结磨料研磨垫
,
摩擦系数
,
材料去除率
