樊吉龙
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朱永伟
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李军
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李茂
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叶剑锋
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左敦稳
硅酸盐通报
采用金刚石丸片和固结磨料抛光垫两种方式研磨加工硅片,以硅片的材料去除率(MRR)和表面粗糙度(Sa)为指标对金刚石丸片和固结磨料抛光垫的研磨性能进行了评价.结果表明:固结磨料抛光垫研磨硅片的材料去除率高于金刚石丸片;研磨后硅片的表面粗糙度也优于金刚石丸片,且表面粗糙度(Sa)在中部和边缘相差不大.最后分析了研磨硅片的产物-磨屑的形状特征,得出固结磨料抛光垫研磨硅片时的塑性去除量远高于金刚石丸片.
关键词:
固结磨料研磨
,
金刚石丸片
,
材料去除速率
,
表面粗糙度
李艳花
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傅毛生
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危亮华
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周雪珍
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周新木
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李永绣
中国稀土学报
以硝酸铈为原料,十二烷基苯磺酸钠为分散剂,过氧化氢为氧化剂,氨水为沉淀剂,采用直接沉淀法制备了粒径分布均匀的纳米氧化铈粉体,并通过XRD,TEM等手段对粉体进行了表征.采用所制备的氧化铈粉体配置成抛光浆料对硅片进行抛光,研究了浆料pH值、固含量及过氧化氢浓度对n型半导体硅晶片(111)晶面抛光性能的影响.确定了最佳的抛光条件为:pH值10.5,含固量为0.5%,过氧化氢体积分数为1.5%.此时的抛光速率为61.1 nm·min-1,所抛光的硅晶片的表面粗糙度为0.148nm.
关键词:
纳米CeO2粉体
,
化学机械抛光
,
材料去除速率
,
硅晶片
,
稀土
