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抛物量子点中弱耦合杂质束缚磁极化子的光学声子平均数

胡义嘎 , 尹辑文 , 肖景林

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2009.05.022

采用线性组合算符和幺正变换方法研究库仑场对抛物量子点中弱耦合杂质束缚磁极化子的振动频率和光学声子平均数的影响.导出量子点中弱耦合杂质束缚磁极化子的振动频率和光学声子平均数随量子点的有效受限长度,库仑束缚势和磁场的回旋共振频率的变化关系.数值计算结果表明:弱耦合杂质束缚磁极化子的振动频率和光学声子平均数随量子点的有效受限长度的减小而迅速增大,随磁场的回旋共振频率和库仑束缚势的增加而增加,表现出奇特的量子尺寸效应.

关键词: 光电子学 , 低维结构 , 抛物量子点 , 束缚磁极化子 , 振动频率 , 光学声子平均数

半导体极性晶体膜中束缚磁极化子的自陷能

王秀清

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2010.02.020

采用线性组合算符法和幺正变换方法,研究极性晶体膜中束缚磁极化子的自陷能随膜厚d的变化关系.得出束缚磁极化子的自陷能由两部分组成:第一部分是由于电子-体LO声子相互作用所引起的(E_e~(tr)-LO),第二部分则是电子-SO声子相互作用引起的.后者又包含两部分,分别是电子与极性膜中两支表面声子相互作用的贡献(E_e~(tr)-SO(+),E_e~(tr)-SO(-)).通过对KCl半导体膜的数值计算表明,E_e~(tr)-ph和磁极化子的振动频率λ随膜厚d的增加而减少;当膜厚大于5 nm时,总自陷能 E_e~(tr)-ph 趋于一稳定值.另外,由于稳恒磁场的存在,使磁极化子的自陷能增大,这主要是由于稳恒磁场的存在,使电子-声子间的相互作用改变而引起的.

关键词: 光电子学 , 束缚磁极化子 , 线性组合算符 , 自陷能

自旋对非对称量子点中弱耦合束缚磁极化子基态能量的影响

汪晓武 , 肖娟 , 李建红 , 李志新

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.04.016

采用Tokuda修正的线性组合算符和幺正变换方法,研究了非对称量子点中弱耦合束缚磁极化子的性质.推导出了磁极化子基态能量随量子点横向、纵向受限长度和磁场的变化关系.进行了数值计算,计算结果表明:考虑自旋影响时,束缚磁极化子基态能量分裂成自旋向上(向下)两个分支.并且磁极化子基态能量、自旋向上(向下)分裂能随量子点横向、纵向受限长度的增加而减少,随磁场强度的增加而增大.

关键词: 光电子学 , 非对称量子点 , 自旋电子学 , 弱耦合 , 束缚磁极化子

磁场对量子线中束缚极化子激发态性质的影响

丁朝华 , 苏莉 , 何锐

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.06.018

采用Huybrenchts线性组合算符和Lee-Low-Pines(LLP)变换方法,研究了磁场和库仑场对抛物量子线中强耦合极化子激发态性质的影响,推导出了抛物量子线中强耦合束缚磁极化子的第一内部激发态能量、激发能量和振动频率.数值计算结果表明:抛物量子线中强耦合束缚磁极化子的第一内部激发态能量和激发能量及振动频率均随约束强度、回旋频率的增加而增大;第一内部激发态能量随库仑束缚势的增加而减少,激发能量和振动频率随库仑束缚势的增加而增强.

关键词: 光电子学 , 量子线 , 线性组合算符 , 束缚磁极化子 , 激发态

Nb、K共掺对BiFeO3纳米晶体结构和磁性的影响?

杜奕全 , 邓施列 , 冼慧敏 , 张弜 , 陈熹

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.22.009

采用溶胶-凝胶法制备Bi1-x Kx Fe1-x Nbx O3(0≤x≤0.05)纳米晶体,并研究 Nb、K 共掺杂对 BiFeO3样品晶格结构和磁学性质的影响。根据 XRD图谱和 Rietveld精修可知,所有样品保持 R3 c相,晶格常数a、c,晶胞体积V和 Fe-O-Fe发生微弱的变化。XPS测量显示,少量的 Nb、K 共掺杂不引起样品中 Fe3+和 Fe2+比例的变化。磁测量表明,所有掺杂样品的磁性都得到了增强。当掺杂量x=0.01时,剩余磁化强度Mr 达到最大值,Mr=0.1978 emu/g,相比于纯BiFeO3增大了18倍。低掺杂时剩余磁化强度Mr 增大,可能是由于掺杂样品中存在束缚磁极化子引起的。

关键词: 铁酸铋 , 溶胶-凝胶法 , 晶体结构 , 磁学性质 , 束缚磁极化子

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