郑冬梅
,
王宗篪
,
苏春燕
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.01.016
在有效质量近似下,采用变分法,研究了内建电场和杂质对双电子柱形GaN/AlxGa1-xN量子点系统束缚能的影响.结果表明:杂质带负电时,体系基态能量都比较大,不易形成稳定的束缚态.带电量为e的施主杂质位于量子点中心时,杂质电子的束缚能随量子点高度和半径的增加先缓慢增大后减小,存在最大值;随着Al含量的增加,体系的束缚能增大.随着杂质从量子点下界面沿z轴移至上界面,体系的束缚能先增大后减小.与单电子杂质态相比,内建电场对双电子量子点系统束缚能的影响比较显著;当量子点高度L<6 nm时,杂质双电子量子点系统的束缚能大于单电子杂质态束缚能,而当量子点高度L6 nm时,杂质双电子量子点系统的束缚能小于单电子杂质态束缚能.
关键词:
光电子学
,
柱形量子点
,
内建电场
,
杂质
,
束缚能
尹新
,
王海龙
,
龚谦
,
封松林
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2013.02.018
在有效质量近似下,利用变分法对GaxIn1-xAsyP1-y/InP阶梯量子阱中氢施主杂质束缚能进行了理论计算,并研究了外加电场和阶梯阱的高度对阶梯量子阱中氢施主杂质电子态特性的影响.计算结果显示当施主杂质位于阶梯量子阱的中心时,束缚能达到最大值；外加电场使得电子波函数从阱中心偏移,引起束缚能的非对称分布；Ga与As组分的变化使得阶梯阱的势能高度发生变化,从而明显地影响阱中氢杂质束缚能.计算结果对一些基于半导体阶梯型量子阱的光电子器件的设计制作有一定的指导意义.
关键词:
光电子学
,
束缚能
,
变分法
,
氢施主杂质
,
阶梯量子阱
孟婧
,
王海龙
,
龚谦
,
封松林
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2013.03.019
在有效质量包络函数理论下,利用变分法计算了未加电场以及加入电场后GaN/AlxGa1-xN双量子阱中施主杂质各种情况下的束缚能,讨论了双量子阱中间势垒高度、施主杂质位置对杂质束缚能的影响.给出了加入电场后施主位置不同时的束缚能和波函数,以及量子阱宽度不同时的束缚能,并且计算了未加电场和加入电场后中间势垒高度变化以及宽度不同时的束缚能.当双量子阱中间垒宽一定时,束缚能随着阱宽的变化会出现一个峰值.在阱宽一定时,随着中间垒宽度的增加,束缚能逐渐减小,并在垒宽增加到一定宽度时双量子阱情况与单量子阱情况相似,束缚能不再明显变化.计算结果对设计和研究GaN/AlxGa1-xN量子阱发光和探测器件有一定的参考价值.
关键词:
光电子学
,
束缚能
,
中性施主
,
变分法
,
打靶法
,
对称双量子阱
