王现彬
,
赵正平
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.06.032
建立了氮极性(N-polar)GaN基HEMT器件的准二维(Quasi-2-D)电荷传输模型,仿真研究了N-polar GaN基HEMT的直流特性.仿真结果表明,不同的极化效应会对输出特性曲线和转移特性曲线产生不同的影响,考虑自发极化效应(Psp)+压电极化效应(Ppe)、只考虑Ppe和只考虑Psp三种情况下的阈值电压分别为:-3.96 V、-2.29 V和-2.47 V,而其对应的峰值跨导则分别为44 mS/mm、41.2 mS/mm和41.3 mS/mm.该模型为N-polar GaN基HEMT器件仿真提供了理论参考.
关键词:
N极性
,
高电子迁移率晶体管
,
极化效应
,
直流特性
张正宜
,
梁将
,
武维
人工晶体学报
用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上生长了具有不同阱层厚度的InGaN/GaN多量子阱结构,研究了阱层厚度和激发功率密度对多量子阱光致发光(PL)性能的影响.结果表明,随着激发功率密度的增加,PL的峰值波长会出现不同程度的蓝移,且阱层越厚,蓝移的越明显.PL的峰值波长随着激发功率密度和阱厚的变化关系可以用光生载流子对极化场的屏蔽效应和带隙填充效应来解释.阱最薄的样品(1.8 nm)由于其极化效应最弱,电致发光谱具有最高的发光强度,但其发光波长较短仅有430 nm.
关键词:
阱厚
,
激发功率密度
,
峰值波长
,
极化效应
,
带隙填充
