夏海平
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王金浩
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曾宪林
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章践立
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张约品
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徐键
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聂秋华
功能材料
用坩埚下降法技术,选用同成分化学计量的铌酸锂为初始原料,在合适的生长速度(1～4mm/h)与温度梯度(20～30℃/cm)下成功地生长出了无宏观缺陷、掺杂不同Cr3+离子浓度的铌酸锂单晶.测定了晶体的吸收光谱.Cr3+离子在晶体中以三价态存在,沿着生长方向晶体中Cr3+离子的含量逐步减少.用顺磁共振谱(EPR)研究了晶体中Cr3+离子的格位情况,结果表明Cr3+离子取代Li与Nb两种格位.测定了晶体的发射光谱并研究了发射强度随吸收强度的变化关系.
关键词:
掺铬铌酸锂晶体
,
熔体晶体生长
,
坩埚下降法
,
格位
,
光谱
