李秋俊
,
冯世娟
,
刘毅
,
赵红
,
赵文伯
功能材料
对蓝宝石衬底上生长的一系列AlxGa1-xN薄膜进行了椭圆偏振光谱研究,得到了薄膜的厚度以及245～1000nm的光学常数;通过有效介质模型计算出Al组分;随着Al组分的增加,折射率n下降,吸收边蓝移,与透射光谱结果一致.
关键词:
AlGaN薄膜
,
椭圆偏振光谱
,
光学常数
,
Al组分
杜江锋
,
赵金霞
,
罗谦
,
于奇
,
夏建新
,
杨谟华
功能材料
对InN/GaN/Al2O3和Ga2O3/GaN/Al2O3多层膜结构进行了椭圆偏振光谱研究.所有GaN样品均采用MOCVD工艺在蓝宝石(Al2O3)衬底上生长所得.应用多层介质膜模型,在300～800nm测试波长范围内拟合得到了样品各层厚度和折射率色散关系,并与GaN单层膜色散关系相比较,分析了各层膜之间对自身折射率的影响.研究结果表明,InN和Ga2O3表面均存在一个粗糙层,采用有效介质近似模型可使拟合结果更为准确;相对于GaN单层膜结构,InN薄膜使其下面的GaN层折射率明显增大,这应与界面层态密度有关;而在300～400nm测试范围内,Ga2O3折射率出现反常色散现象,InN消光系数亦产生了一个强的吸收峰,这则可能与GaN层在360nm左右存在的一个强吸收(Eg≈3.4eV)有关.
关键词:
GaN
,
椭圆偏振光谱
,
InN
,
Ga2O3
郜小勇
,
赵剑涛
,
刘绪伟
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.033
采用低压金属有机化学气相沉积(LPMOCVD)法,成功地在(0001)晶向的蓝宝石(Al2O3)衬底上制备了高质量的GaN薄膜.并利用X射线衍射(XRD)谱和椭圆偏振光谱(SE)对其结构和光学特性作了表征.XRD谱中,在34.5°和72.9°附近出现了两个尖锐的衍射峰,分析表明这两个衍射峰分别对应纤锌矿(Wurtzite) 结构GaN薄膜的(0002)和(0004)晶向.其中GaN (0002)晶向衍射峰的半高宽(FWHM)很窄,只有0.1°左右,并且GaN(0004)晶向衍射峰强度很强,二者均证实了采用LPMOCVD法制备的GaN薄膜具有高的质量.在介电函数和反射谱中,GaN高的透明性(＜3.44eV)诱导了强的干涉振荡.室温下拟合出的表征带间跃迁的光学带隙约为3.44eV.
关键词:
低压金属有机化学气相沉积
,
氮化镓
,
椭圆偏振光谱
,
干涉效应
汤猛
,
李勇男
,
殷波
,
钟传杰
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163112.1124
基于溶液旋涂法和高压退火工艺制备了 a-IGZO 薄膜。采用椭圆偏振光谱分析仪以及原子力显微镜研究和分析了H 2 O 2对薄膜的表面结构和光学特性的影响。实验结果表明,a-IGZO 前驱液中不含 H 2 O 2的薄膜,退火温度从220℃升高到300℃,薄膜的光学带隙从3．03增加到3．29,而膜表面粗糙层由20．69 nm 降至4．68 nm。在同样的高压退火条件处理下,与前驱液中没加入 H 2 O 2的薄膜相比,折射率显著增加并明显的降低了薄膜表面粗糙度。退火温度在300℃时,薄膜的光学带隙由3．29 eV 增大到3．34 eV,表面粗糙层由4．68 nm 减少到2．89 nm。因此,H 2 O 2可以在相对低温条件下有效降低薄膜内部的有机物残留及微缺陷,形成更加致密的 a-IGZO 薄膜。证明了利用 H 2 O 2能够有效降低溶液法制备 a-IGZO 薄膜所需的退火温度。
关键词:
a-IGZO 薄膜
,
H2O2 溶液
,
椭圆偏振光谱
,
致密性
