陈冰冰
,
高增梁
,
郑三龙
膜科学与技术
doi:10.3969/j.issn.1007-8924.2007.03.014
真空膜蒸馏技术可用于分离水溶液中的有机挥发性化合物(VOCs),是一种治理遭受VOCs污染工业废水的新方法.对低浓度乙醇水溶液二元体系下的真空膜蒸馏过程展开了模拟分析,膜内的传质按Knudsen扩散原理考虑,界面上的平衡关系按Van Laar活度系数法给出.模拟结果表明:过程的操作参数对分离效率有较大的影响,进口温度、料液流量、浓度和真空度增加,膜通量将增加;分离因子随进口温度、真空度、浓度增加而减少,料液流量对分离因子影响与真空侧流动形式有关.真空侧流动形式对分离因子有一定的影响,并流条件下,分离因子最大.
关键词:
真空膜蒸馏
,
模拟计算
,
Knudsen
,
乙醇水溶液
,
低浓度
,
分离
,
中空纤维膜
周惦武
,
乔小杰
,
张丽娟
,
李升
中国有色金属学报
为了抑制或减少镀锌钢/6016铝合金在激光焊过程中生成Fe/Al脆性金属间化合物,采用光纤激光器,不添加任何钎料,对汽车车身用镀锌钢与6016铝合金平板试件进行激光搭接焊试验.利用ANSYS有限元分析软件,建立钢/铝激光焊热源模型.基于模拟计算与温度同步测量,获取不同工艺条件下焊接熔深,将其作为训练样本,利用BP神经网络,建立激光焊条件下焊接功率、焊接速度、离焦量与焊接熔深之间的非线性映射关系,优化焊接工艺参数.采用卧式金相显微镜、扫描电镜、X射线衍射仪、微机控制电子万能试验机等手段对优化工艺条件下焊接接头各区域的金相组织、断口形貌、界面元素分布、主要物相和接头力学性能进行研究.结果表明:模拟计算获得工件表面距焊缝中心不同位置温度与实验同步测量温度基本吻合,所建热源模型能反映激光焊实际过程特点;通过神经网络方法建立模型预测不同工艺参数下焊接熔池深度的相对误差控制在10％以内;优化工艺条件下,焊缝横截面铝熔化,钢少量熔化,液态铝在钢表面润湿铺展良好,钢/铝界面层形成厚度约为9μm、由FeAl和Fe3Al组成的金属间化合物层,焊接接头平均抗剪强度为27.70 MPa,断裂形貌表现为准解理和韧性的混合型断裂特征.
关键词:
6016铝合金
,
镀锌钢
,
激光焊
,
模拟计算
,
BP神经网络
,
组织
,
性能
郭连权
,
马常祥
,
王帅
,
李辛
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.03.022
利用碳纳米管储氢已经成为了纳米科技领域中的一项研究热点.为了认识碳纳米管的动态储氢过程,本文借助于分子动力学方法,对单壁碳纳米管的储氢行为进行了模拟计算,其结果生动逼真,并得出了储氢的如下结论:被吸附的氢分子主要出现在管内和管外的边缘附近;管内氢分子的分布出现分层现象,且管径越小,则靠近管壁的氢分子分层现象越明显;在管内外靠近管壁处的氢分子与管壁有一定的空隙.这为进一步研究碳纳米管的储氢机理和储氢容量等问题提供了必要的依据.
关键词:
单壁碳纳米管
,
储氢行为
,
分子动力学
,
模拟计算
廖柯熹
,
董龙伟
,
张淮鑫
材料保护
为了掌握金属储罐基础厚度、土壤电阻率对储罐阴极保护的影响,建立了20钢储罐底板外侧阴极保护电位分布的数学模型.利用FLUENT软件模拟计算了不同影响因素下金属储罐底板外侧的阴极保护电位,研究了不同厚度沥青砂层、砂垫层和土壤电阻率对其阴极保护电位分布的影响.结果表明:沥青砂层的厚度对保护电位分布影响较小,土壤电阻率对保护电位分布影响较大,砂垫层越厚越有利于阴极保护电位的均匀分布.本模型的模拟结果与实测结果相近,可以用于金属储罐阴极保护效果的预测.
关键词:
阴极保护
,
金属储罐
,
电位分布
,
效果预测
,
数学模型
,
模拟计算
汪爱英
,
柯培玲
,
孙超
,
黄荣芳
,
闻立时
新型炭材料
doi:10.3969/j.issn.1007-8827.2005.03.007
在传统工业型热丝化学气相沉积(HFCVD)反应腔内,相关工艺参数取模拟计算优化值的条件下,采用XRD,SEM及Raman光谱等分析手段研究了单晶Si (100)上较大面积金刚石薄膜的动力学生长行为,讨论了晶格取向的变化规律.结果表明:优化工艺参数条件下,在模拟计算的衬底温度和气体温度分布均匀的区域内,沉积的金刚石薄膜虽存在一定的内应力,但整体薄膜连续、均匀,几何晶形良好,质量较高,生长速率达1.8 μm/h.薄膜生长过程中晶形显露面受衬底温度和活性生长基团浓度的影响较大.
关键词:
热丝化学气相沉积
,
金刚石薄膜
,
动力学生长
,
模拟计算
吴红丽
,
张伟
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2010.04.011
通过溶剂化过程制备碳黑-二氧化硅-环氧树脂聚合物基复合材料,并研究复合材料的导电渗透特性.当碳黑的体积分数低于15.5%时,复合材料的导电性可以用经典的渗透理论来描述,并发现渗透阈值约为14.7%,这与理论预测值相接近.当碳黑的体积分数高于15.5%时,材料的电导率与理论预测值偏离较大.这可能是因为:此时材料中的二氧化硅的用量较少,其对碳黑颗粒的空间体积排除效应较差;由于氢键和范德华力作用,纳米级的碳黑颗粒容易形成聚集态,这与渗透理论中导电颗粒必须是单个分布的这一前提假设相违背.扫描电镜分析及模拟计算结果支持该结论.
关键词:
有机高分子材料
,
碳黑/二氧化硅/环氧树脂复合材料
,
导电性
,
渗透特性
,
模拟计算
于志家
,
工程热物理学报
建立了封闭舱室内氧气再生与二氧化碳降浓的数学模型,采用S-系统在对数空间内对模型进行了数值解析,通过计算机模拟计算,讨论了系统中氧气和二氧化碳浓度随时间的变化情况,以及小球藻的液相培植对气相中氧气浓度的影响.计算结果表明通过培植小球藻来再生氧气并减少二氧化碳,维持密封舱内生命生存是可能的.
关键词:
氧气再生
,
模拟计算
,
S-系统
,
密封舱室
陈俊
,
王希恩
,
严非男
,
梁丽萍
,
耿滔
人工晶体学报
本文利用GULP计算软件拟合了CdMoO4晶体势参数,在此基础上研究了该晶体的本征点缺陷,计算了本征点缺陷的生成能.结果表明,在CdMoO4晶体生长过程中,孤立缺陷主要以肖特基缺陷的形式(Vo2+和Vcd2-)存在.晶体中氧的夫伦克儿缺陷具有较低的生成能,是CdMoO4晶体的主要缺陷类型.Cd的夫伦克儿缺陷在高温条件下将起重要作用,由氧空位引起的F心和F+心与700 nm吸收带的形成有关.
关键词:
模拟计算
,
CdMoO4晶体
,
GULP
,
本征点缺陷
