王文俊
,
林均品
,
王艳丽
,
陈国良
稀有金属材料与工程
研究了Ti-50Al和Ti-45Al-8Nb)合金在锌液中的腐蚀行为,并测量Ti-50Al和Ti-45Al-8Nb合金的正电子寿命谱,利用正电子寿命参数分别计算了合金基体和缺陷态的自由电子密度.TiAl合金自由电子密度比金属Ti和金属Al基体的低,当Ti和Al组成TiAl合金时,Ti原子和Al原子的部分价电子被局域化,TiAl合金中金属键和其价键共存.TiAl合金晶界缺陷的开空间较大,晶界缺陷处的自由电子密度较低,金属键结合力较弱.在TiAl合金中加入Nb元素,Ti-45Al-8Nb合金基体和晶界的自由电子密度增大,明显减慢了锌液对钛铝基合金的溶解速度.
关键词:
锌液腐蚀
,
TiAl合金
,
正电子寿命
,
电子密度
杜兴蒿
,
郭建亭
,
周彼德
,
熊良钺
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2002.06.014
研究了B2型多晶NiAl的晶界结构对缺陷态正电子寿命的影响,并结合正电子谱探讨了热挤压及超塑性变形过程后的晶界结构.热挤压后的NiAl合金具有完全的再结晶组织,而超塑性变形过程中的动态回复和再结晶是一种不完全再结晶过程,所得到的晶界仍属于亚晶界或小角度晶界范畴,再结晶晶界在超塑性变形过程中不产生滑动.
关键词:
NiAl
,
超塑性
,
正电子寿命
,
晶界结构
邓文
,
熊良钺
,
王淑荷
,
郭建亭
,
龙期威
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2002.05.002
对二元Fe-Al合金,含Cr和Si的Fe3Al合金的正电子寿命谱测量表明:随着二元Fe-Al合金中Al含量的增加,空位浓度增加,微孔洞的开空间增大.在Al含量高于40%(原子分数)的B2-FeAl合金中存在着较高的空位浓度和开空间相当于Fe中10-15个空位聚集体的微空洞.在B2-FeAl和D03 Fe3Al合金中,晶格中最邻近的Fe-Al原子对之间发生Fe d Al p杂化作用,Al的3p电子与Fe的3d电子被局域化并形成共价键,导致合金中的自由电子密度降低.二元Fe-Al合金中的平均电子密度随着Al含量的增加而下降.用Cr元素对Fe3Al进行合金化,合金基体和晶界处的自由电子密度均增加;而加入Si元素,合金基体和晶界处的自由电子密度均减小.讨论了Fe-Al合金的微结构对其力学性能的影响.
关键词:
Fe-Al合金
,
正电子寿命
,
微观缺陷
,
电子密度
李辉
,
闵嘉华
,
王林军
,
夏义本
,
张继军
,
叶邦角
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.11548
采用Bridgman法生长CdZnTe晶体.分别采用红外透过显微镜和正电子湮灭寿命谱仪研究了CdZnTe晶体中的Te夹杂相、Cd空位等缺陷与坩埚中的自由空间量大小的关系.结果表明:随着坩埚自由空间量的减小,晶体中Te夹杂相密度从6.67×104/cm2降低到2.36×103/cm2,且Te夹杂相尺寸减小；晶体的正电子平均寿命值随着坩埚自由空间量的减小从325.4 ps降低到323.4 ps,表明晶体的Cd空位浓度及微结构缺陷减少；晶体的红外透过率和电阻率则随着坩埚自由空间量的减小大幅提高,进一步表明坩埚中自由空间量的减小能够有效地降低晶体中的缺陷浓度.
关键词:
CdZnTe
,
缺陷
,
正电子寿命
,
Te夹杂
黄卫东
,
左禹
,
魏龙
,
王文华
腐蚀科学与防护技术
测量了非晶态NiCrFeSiB合金电化学渗氢前后的正电子寿命谱,探索氢与非晶态结构中的空位型缺陷的相互作用.合金中主要存在自由体积和空位团两种类型的缺陷,低电流渗氢对缺陷结构无明显影响,高电流渗氢导致空位团型缺陷浓度升高,但不稳定,当氢逸出后又会分解,合金结构恢复到稳定状态.
关键词:
非晶态合金
,
hydrogen
,
positron
邓文
,
熊良钺
,
王淑荷
,
郭建亭
金属学报
对二元Fe-Al合金,含Cr和Si的Fe3Al合金的正电子寿命谱测量表明:随着二元Fe-Al合金中Al含量的增加,空位浓度增加,微孔洞的开空间增大.在Al含量高于40%(原子分数)的B2-FeAl合金中存在着较高的空位浓度和开空间相当于Fe中10-15个空位聚集体的微空洞.在B2-FeAl和D03 Fe3Al合金中,晶格中最邻近的Fe-Al原子对之间发生Fe d Al p杂化作用,Al的3p电子与Fe的3d电子被局域化并形成共价键,导致合金中的自由电子密度降低.二元Fe-Al合金中的平均电子密度随着Al含量的增加而下降.用Cr元素对Fe3Al进行合金化,合金基体和晶界处的自由电子密度均增加;而加入Si元素,合金基体和晶界处的自由电子密度均减小.讨论了Fe-Al合金的微结构对其力学性能的影响.
关键词:
Fe-Al合金
,
null
,
null
