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原词结果 | 译词结果

La2-xBaxCuO4超导体的PAT研究

胡保付 , 王艳文

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.032

本文报道了在室温下对La2-xBaxCuO4超导系列样品的正电子寿命谱(PAT)测量,讨论了正电子湮没机制与超导转变温度的关联,并从电子密度转移方面解释了La2-xBaxCuO4超导样品在1/8处的转变温度受抑制的原因.

关键词: 正电子寿命谱 , 超导电性

低频脉冲磁场方法处理铁基非晶合金的内耗研究

王晓伟 , 马继 , 张莉 , 熊良钺 , 晁月盛 , 王京阳

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2003.11.025

利用低频脉冲磁场处理铁基非晶合金的方法得到综合性能更好的非晶-纳米晶混合合金,采用内耗测量方法研究了这种软磁性非晶-纳米晶混合合金的结构变化,并比较了不同处理时间样品的内耗变化,结果表明,经低频脉冲磁场处理后,在92℃附近出现了一个明显的内耗峰,该峰在能量积聚过程中表现出弛豫型内耗的特点,而在降温过程则无转变发生,仅表现出背景内耗的增高.结合正电子寿命谱的观察,分析了样品中缺陷组态的变化规律.实验结果均表明,经低频脉冲磁场较长时间处理后,样品中的亚稳结构与非晶态的亚稳结构明显不同,并具有一定的热稳定性.

关键词: 低频脉冲磁场处理 , 铁基非晶合金 , 内耗 , 正电子寿命谱

掺杂TiO2的ZnO压敏电阻正电子寿命谱研究

王亮 , 樊东辉 , 林枞 , 徐政 , 孙丹峰

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2006.06.028

利用正电子湮灭技术(PAS)和扫描电子显微镜(SEM),分析了掺杂TiO2的ZnO压敏电阻的晶界缺陷,以及不同降温速率对晶界特性的影响.实验结果表明,向样品中掺杂TiO2或者快速冷却样品,都能使得样品晶界处Zn空位团尺寸变大,浓度减小.

关键词: ZnO压敏电阻 , 正电子寿命谱 , 简单捕获态模型

LaBaCuO系超导体1／8反常现象及正电子寿命谱的研究

王艳文 , 胡保付 , 胡艳春 , 路庆凤

低温物理学报

我们在室温下对La2-xBaxCuO4（x=0．05，0．1，0．125，0．15，0．2）超导系列样品的正电子寿命谱（PAT）进行了测量，分析了正电子湮没机制与超导转变温度之间的关联，并从电子密度转移方面对La2-xBaxCuO4超导样品的转变温度被抑制的原因进行了解释．

关键词: 1/8反常现象 , 正电子寿命谱 , 超导电性

MgAl2O4透明陶瓷的正电子湮没寿命谱研究

王鹏 , 林理彬 , 何捷 , 卢勇

材料导报

采用正电子湮没寿命谱的方法研究了Mg－Al尖晶石透明陶瓷被电子、质子辐照后的缺陷情况，以及在γ射线辐照下，缺陷情况随γ射线剂量的变化规律。并研究了其退火特性。

关键词: MgAl2O4透明陶瓷 , 正电子寿命谱 , 缺陷

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