郑亚萍
材料导报
以高密度的环氧树脂TDE-85作为基体,选择不同的固化剂,研制出了三种高模量高强度的树脂体系,并对其力学性能、微观结构、自由体积进行了研究.论文取得了如下创造性的研究成果:(1)制备了拉伸模量大于5.0GPa,压缩模量大于6.0GPa,拉伸强度大于80MPa的树脂体系,并对其力学性能进行了测试,系统研究了模量与密度之间的关系,同时对其微观断口形貌进行了观察.(2)研究了高模量基体对玻璃纤维增强复合材料单向板各项性能的影响.结果表明,随着基体模量的提高,复合材料的拉伸性能、压缩性能、弯曲性能、剪切性能显著提高.玻璃纤维复合材料的压缩强度达1337.5MPa,弯曲强度达2324.6MPa.(3)利用纳米材料SiO2、TiO2、α-A12O3、改性双酚A型环氧树脂,解决了纳米粒子均匀分散的技术难题.系统研究了纳米粒子对环氧树脂拉伸模量、强度、冲击韧性、热变形温度的影响.以纳米SiO2、高强玻璃纤维共同增强环氧树脂,制备了纳米纤维环氧树脂复合材料.这一研究在国内尚未见报道.(4)利用正电子淹没技术测试了自由体积,首次用实验验证了模量与自由体积的密切关系.对于TDE-85/胺体系,在环氧基/胺摩尔比相同的条件下,浇铸体密度降低,自由体积的尺寸与浓度增大,浇铸体的模量与玻璃化温度降低.纳米粒子的加入,使自由体积尺寸增大,自由体积浓度降低,模量与玻璃化温度升高.
关键词:
模量
,
压缩性能
,
复合材料
,
纳米粒子
,
正电子湮没技术
祝莹莹
,
邓文
,
孙顺平
,
江海峰
,
黄宇阳
,
曹名洲
,
熊良钺
稀有金属材料与工程
测量Al,Si,Ti,Cr,Nb等纯元素以及Ti50Al50,Ti50l48Cr2,Ti50Al48Nb2合金的符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱和寿命谱,获得金属及合金中d电子和缺陷的信息.结果表明,二元TiAl合金的电子密度和3d电子的信号较低,晶界缺陷的开空间较大.在TiAl合金中加入Cr或Nb,合金中的d-d电子作用增强,基体和晶界处的电子密度均增加.Ti50Al48Cr2合金的多普勒展宽谱的d电子信号高于Ti50Al48Nb2合金.讨论了Cr和Nb对TiAl合金中缺陷和d-d电子相互作用的影响.
关键词:
TiAl合金
,
d-d电子相互作用
,
缺陷
,
正电子湮没技术
郭秋娥
,
黄宇阳
,
邓文
材料导报
用符合正电子湮没辐射Doppler展宽技术研究了La2/3Ca1/3Mn1-xFexO3陶瓷的缺陷和3d电子行为.结果表明:对x≤0.33的样品,随着样品中Fe含量的增加,3d电子数量增加,样品的商谱谱峰升高；对x＞0.50的样品,随着样品中Fe含量的增加,样品中有新相生成,体系缺陷增加,样品的商谱谱峰降低.测试了La2/3Ca1/3Mn1-x-FexO3多晶陶瓷的磁电阻性能,讨论了微观缺陷和3d电子对La2/3Ca1/3Mn1-xFexO3多晶陶瓷磁电阻性能的影响.
关键词:
钙钛矿锰氧化物
,
正电子湮没技术
,
3d电子
,
磁电阻特性
唐世红
,
赵北君
,
朱世富
,
王瑞林
,
高德友
,
陈俊
,
张冬敏
,
何知宇
,
方军
,
洪果
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.023
用正电子湮没技术(PAT)研究了原料富Cd改进布里奇曼法生长的碲锌镉单晶样品退火前后的缺陷.刚生长的样品缺陷寿命值较高,其内部存在的点缺陷主要是占优势的Cd空位,用富Cd同成份源Cd1-xZnxTe气氛对样品在不同温度下等时退火后,发现样品的正电子寿命参数对退火温度表现出很强的依赖关系,通过对样品退火过程中空位的迁移、聚集及消失情况分析,得出较适宜的退火温度约为700℃.
关键词:
碲锌镉
,
正电子湮没技术
,
寿命
,
退火
郑亚萍
,
陈伟
,
李江红
,
许亚洪
复合材料学报
RTM和预浸料两种工艺共固化会形成一个界面层,采用差热分析和红外光谱研究环氧树脂/酸酐和环氧树脂/双氰胺共固化体系的反应,采用正电子湮没技术测试了共固化体系所形成界面中的自由体积尺寸和浓度.结果表明,单独体系的反应峰大约是1 60℃,两种工艺树脂混合后,反应峰向高温方向移动,为275.14℃；同时放热量从RTM体系的236.2 J/g和预浸料体系的193.9 J/g降低至83.15 J/g;界面层的自由体积尺寸和浓度比两个单独固化体系的大,弯曲强度分别从RTM体系的140.2 MPa和预浸科体系的105.4MPa降至83.4 MPa.两种体系的固化剂相互反应,致使共固化体系反应不完全,形成一个力学性能较低的共固化界面层.
关键词:
共固化
,
RTM工艺
,
预浸料
,
界面
,
正电子湮没技术
,
自由体积
吴奕初
,
常香荣
,
田中卓
,
肖纪美
金属学报
本文采用正电子湮没技术研究了高纯Fe中的氢损伤规律,实验结果表明,在0.5mol/L H_2SO_4溶液中不加毒化剂电解充氢时,产生氢损伤的临界电流密度为20 mA/cm~2;而在0.5mol/L H_2SO_4溶液中加少量As_2O_3作为毒化剂电解充氢时,即使很小的电流密度也会产生氢损伤,配合慢拉伸试验,还发现试样内部产生氢损伤以后,它将控制随后的形变和断裂过程
关键词:
氢损伤
,
critical current density
,
positron annihilation technique
,
hydrogen-induced defect
