殷玲
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郭顺
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张武装
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曾毅
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熊翔
复合材料学报
采用包埋法在C／C基体上制备了SiC涂层，借助X射线衍射仪（XRD）和扫描电镜（SEM）对涂层的相组成及微观形貌进行了观察和分析，研究了涂层在1500℃静态空气中的氧化行为，并进一步阐述了涂层的抗氧化机制。结果显示：包埋法制备的涂层由α-SiC、β-SiC及游离Si组成，经XRD半定量分析得到不同工艺制备的涂层中游离Si含量不同；游离Si含量越高涂层越致密；氧化性能显示涂层中适量的游离Si有利于涂层的抗氧化，当涂层中游离Si质量分数为1．3％和2．9％时其抗氧化性能均较好，在1500℃静态空气中氧化7h失重率分别为0．19％和0．16％。
关键词:
C/C复合材料
,
包埋法
,
SiC涂层
,
残余Si
,
抗氧化机制
袁志丽
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尹洪峰
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张军战
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任耘
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刘小团
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马啸尘
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袁蝴蝶
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2007.06.029
以SiC、α-Al2O3微粉、Si粉、Al粉为原料,在1450℃流动氮气中制备Sialon/SiC材料.研究了不同温度保温氮化对Sialon合成的影响.研究结果表明:有部分硅粉残余没有氮化;在1100℃保温氮化的氮化率高于在1150℃、1200℃保温氮化;1100℃保温氮化,残余Si量少、分布均匀,残余硅熔聚现象较轻,利于Sialon的合成.
关键词:
Sialon
,
氮化制度
,
残余Si
