郑雁公
,
王兢
功能材料
静电纺丝技术由于简单的装置和制备过程,以及所使用材料的多样和应用领域的广泛,被认为是制备纳米纤维材料最具发展潜力的方法.简述了静电纺丝技术和影响纺丝质量的相关因素;介绍了静电纺丝制备半导体氧化物纳米纤维的方法及纳米纤维在气体传感器领域的应用;比较了几种纳米纤维和纳米线纳米棒等气敏元件的敏感特性;最后分析了纳米纤维具有优良气敏性能的机理.
关键词:
静电纺丝
,
半导体氧化物
,
气敏材料
,
纳米纤维
刘秉涛
,
姜安玺
,
徐甲强
稀有金属材料与工程
用化学沉淀法合成微细的氧化铟气敏粉体,选用几种稀有贵金属掺杂氧化铟粉体,用D/maxrA X射线衍射仪测定粉体相结构,用RQ-2型气敏特性测试仪测试氧化铟气敏元件的气敏特性,绘制了掺杂后氧化铟粉体对几种气体的灵敏度-温度曲线.结果表明,氧化铟气敏材料电阻值适中,响应恢复快,气体灵敏度高,可对多种气体实行专一检测或同时检测.
关键词:
氧化铟
,
气敏材料
,
制备
,
特性
张雄斌
,
贺辛亥
,
李宗迎
,
杨超女
,
宋宇宽
,
王俊勃
,
崔云浩
硅酸盐通报
气敏材料作为检测有毒有害及可燃气体的工具,已深入到人类生活的各个领域.SnO2作为无机气敏材料的代表,具有很多优异的性能.如物理、化学稳定性好,耐腐蚀性强、对气体的检测可逆、吸脱附时间短、电阻随浓度变化一般呈抛物线变化、制备费用较低,受到气敏研究者的广泛关注.本文从纳米SnO2的制备技术、添加气体过滤膜、运用表面修饰和掺杂改性等4个方面,归纳近年来国内外研究者为提高SnO2气敏材料的气敏性能所做的工作.并对其中存在的问题进行分析总结,对该领域今后的研究提出一些建议并对其发展趋势做了展望.
关键词:
气敏材料
,
SnO2
,
改性研究
,
发展趋势
常剑
,
詹自力
,
蒋登高
,
高金森
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.05.011
采用微反-气相色谱联用装置和气敏性能测试设备,系统评价了不同粒径、不同掺杂的Ia2O3材料对乙醇的催化、气敏性能.研究表明,采用纳米材料可将乙醇灵敏度由6.0提高到16.0,掺杂碱性金属氧化物将灵敏度提高到14.0;掺杂贵金属可大幅度提高材料对乙醇的催化活性,但降低对乙醇的灵敏度.材料的气敏性能和催化性能存在密切的联系,浅析了材料对乙醇的敏感机理.
关键词:
In2O3
,
气敏材料
,
催化性能
,
气敏性能
牛新书
,
杜卫民
,
杜卫平
,
蒋凯
中国稀土学报
以Nd2O3, Fe(NO3)3*9H2O, 硝酸(1∶1)为原料, 在柠檬酸体系中用溶胶凝胶法合成了具有钙钛矿结构的稀土复合氧化物NdFeO3; 用XRD和TEM对产物的组成、颗粒大小、形貌进行了表征; 结果表明: 产物为纳米颗粒, 平均粒径为28 nm左右, 且颗粒均匀. 还采用静态配气法测试了材料的气敏性能, 发现NdFeO3对H2S有很高的灵敏度, 且抗干扰能力强, 有较好的工业应用前景.
关键词:
无机材料
,
铁酸钕
,
纳米晶
,
气敏材料
,
H2S
,
稀土
余龙
,
费正新
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2006.06.005
为了获得纳米级的CuO-SnO2气敏粉体和所得粉体制作成CO2气体有好的气敏性能的气敏元件,用Sol-Gel法进行制备,运用DSC-TG、XRD、TEM等分析手段对不同热处理温度和不同配比浓度的粉体进行了表征,并对制成的气敏元件进行气敏性能测试;通过对所得粉体的表征可知,用Sol-Gel法制备出的CuO-SnO2粉体是纳米级的,比表面积大,活性好,其最佳热处理温度为600℃.CuO摩尔分数为4%的CuO-SnO2气敏元件对CO2气体有最好灵敏度,且有较好的选择性,响应和恢复时间也在可应用的范围之内.
关键词:
气敏材料
,
CuO-SnO2
,
纳米粉体
,
CO2气体
,
气敏性能
余龙
,
叶素芳
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2010.04.023
在沉淀所得ZnSnO3中掺杂TiO2凝胶,在烧结后的ZnSnO3中掺杂烧结后的纳米级的TiO2,在烧结后的ZnSnO3中掺杂商用TiO2,得到3种具有气敏性能的气敏材料试样.通过X衍射、FT-IR、TEM和SEM对其成分和结构进行表征和分析.并分别做成气敏元件,对其气敏性能进行测试.最终发现在沉淀所得ZnSnO3中掺杂TiO2凝胶所得气敏材料有最小的粒径,达到纳米级.气敏元件对体积分数为4 000×10-6的乙醇在250℃灵敏度达到35,相对C2H5OH,CO2,C2H2,H2,LPG,NH3等气体最好的选择性.
关键词:
气敏材料
,
气敏性能
,
TiO2掺杂
,
ZnSnO3
詹自力
,
司莉粉
,
李广伟
,
郭雪原
,
周志玉
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.14.032
以3-氨丙基三乙氧基硅烷(3-APTES)为表面修饰剂,利用乙氧基与SnO2表面羟基之间的化学反应,将SiO2化学接枝于SnO2表面,以阻止SnO2晶粒热生长.采用SEM、TEM、FT-IR、XRD和EDS等技术对改性后纳米SnO2进行结构表征.结果表明,SiO2通过Sn—O—Si化学键与SnO2相连接,SiO2被高度分散于SnO2表面.经1000℃高温煅烧后,SnO2平均粒径改性前后分别为95和10nm.SiO2作为第二相,阻碍了晶界的移动,增加了晶粒生长活化能,从而有效地限制了晶粒高温生长,提高了纳米SnO2的热稳定性.
关键词:
SnO2
,
表面修饰
,
热稳定性
,
晶界移动
,
气敏材料
