邱胜桦
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陈城钊
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刘翠青
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吴燕丹
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李平
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林璇英
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黄翀
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余楚迎
功能材料
以SiH4/H2为气源,用PECVD沉积技术,在低温(200℃)、高压下(230Pa)下制备出优质纳米晶硅薄膜.研究氢在高速生长纳米晶硅薄膜材料中的作用.实验表明,氢对纳米晶硅薄膜的高速生长起到非常关键的作用.随着氢稀释率由95%提高至99%,薄膜的晶化率由30%增大到70%,晶粒尺寸由3.0nm增大至6.0nm,而沉积速率却由0.8nm/s降低至0.3nm/s.
关键词:
纳米晶硅薄膜
,
氢稀释
,
晶化率
,
RF-PECVD
娄艳辉
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王照奎
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林揆训
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林璇英
功能材料
用质谱、朗缪尔探针诊断技术研究了氢稀释的SiCl4作为源气体,用等离子体增强化学气相方法进行纳米晶硅薄膜的生长.进一步研究了氢稀释比率对SiCl4等离子体中SiCln(n=0～2)基团浓度的影响.等离子体中,平均电子能量和电子密度分别随着氢稀释比率的增加而达到9.25eV和3.7×109cm-3.结果发现,在0.4～0.67范围的氢稀释比率对于形成SiCln(n=0～2)基团很有利.在这个范围,平均电子能量和电子密度都有较大的值.生成较多的SiCln(n=0～2)基团将有利于提高薄膜沉积速率和薄膜质量.
关键词:
氢稀释
,
纳米硅薄膜
,
SiCln(n=0～2)基团
