刘建刚
,
范新会
,
陈建
,
于灵敏
,
严文
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.04.030
研究发现,热蒸发铜粉即可在硅衬底上直接生长出硅纳米线.场发射电子扫描电镜和透射电镜分析表明,纳米线的形貌、结构及生长机制,随沉积区域的不同而变化.在高温沉积区,硅纳米线高度弯曲且相互缠绕,按气-液-固机制生长;在低温沉积区,高度定向生长的直硅纳米线,规整地排列在硅衬底表面,其生长机制是氧化辅助生长机制.
关键词:
热蒸发
,
硅纳米线
,
气-液-固机制
,
氧化辅助生长机制
