剧永波
,
陈建军
,
张宸铭
,
简月圆
,
熊正平
,
张龙泉
,
赵东升
,
罗少先
,
刘昊
,
孙宏伟
,
白贺鹏
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20173203.0190
本文对影响LTPS工艺中光刻胶和衬底间粘附力的4个因素进行了实验及理论分析.经实验发现:衬底的材质和粗糙度以及光刻胶中分子量的分布是影响光刻胶和衬底粘附力的最重要的两个因素.在改善粘附力方面HMDS对于电负性较强的金属衬底和光刻胶的粘附力有较好的改善效果,对于SiNX、A-Si及P-Si衬底改善效果明显,且无差异,对于ITO没有改善.光刻胶涂布后适当延长烘烤时间也可以有效改善光刻胶和衬底的粘附力.
关键词:
粘附力
,
光刻胶
,
钼
,
钛
,
氧化铟锡
,
多晶硅
,
非晶硅
,
氮化硅
冯砚艳
,
王星星
,
辜敏
电镀与涂饰
doi:10.19289/j.1004-227x.2017.09.005
以CuCl2·2H2O和正硅酸乙酯(TEOS)作为前驱体,配制了透明稳定的Cu2+-SiO2复合溶胶.采用循环伏安法研究了Cu2+在该溶胶中的电化学性质,以恒电位法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃表面沉积了凝胶复合薄膜.采用扫描电镜、能谱、X射线衍射对复合薄膜进行了表征,以紫外-可见光谱测试了薄膜的线性光学性能.结果表明,控制电位在-0.24 ～ 0.2 V和负于-0.24 V(相对于饱和甘汞电极)可分别制备出Cu+-SiO2和Cu-SiO2凝胶薄膜,前者的平均光学带隙宽度(Eg)为1.94 eV,略高于后者的1.92 eV.由于Cu在溶胶中是连续成核,导致了Cu-SiO2凝胶薄膜中的Cu颗粒大小不均匀(在几十纳米至几微米之间),吸收光谱在400～500 nm出现了Cu带间迁移的吸收峰.
关键词:
二氧化硅溶胶
,
铜
,
复合薄膜
,
氧化铟锡
,
恒电位电沉积
,
循环伏安法
,
紫外-可见光谱
,
光学带隙
王守坤
,
袁剑峰
,
郭会斌
,
郭总杰
,
李升玄
,
邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153006.0930
本文对 TFT 在栅极绝缘层和非晶硅膜层沉积过程中，透明电极 ITO 成分对膜层的污染和 TFT 电学性质的影响进行分析研究。通过二次离子质谱分析和电学测试设备对样品进行分析。ITO 成分会对 PECVD 设备、栅极绝缘层和非晶硅膜层产生污染，并会影响 TFT 的电学特性。建议采用独立的 PECVD 设备完成 ITO 膜层上面的栅极绝缘层和非晶硅膜层的沉积，并且对设备进行周期性清洗，可降低 ITO 成分的污染和提高产品的电学性能。
关键词:
薄膜晶体管
,
化学气相沉积
,
栅极绝缘层
,
有源层
,
非晶硅膜
,
氧化铟锡
,
电学特性
王瞻
,
李光吉
,
冯晖
合成材料老化与应用
doi:10.3969/j.issn.1671-5381.2009.03.004
采用乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)为基质,以透明并具有红外反射功能的纳米氧化铟锡(ITO)为添加剂,通过挤出共混法制备EVA/ITO透明隔热材料.探讨了纳米ITO含量对这一材料的光学性能、隔热性能及热稳定性的影响,并考察了材料与玻璃的黏合强度.结果表明,添加少量(质量分数为1%～5%)纳米ITO的EVA/ITO材料对光的透过性能表现出明显的光谱选择性,能有效地阻隔红外光区的热能,并在可见光区具有相对较高的透光率;随纳米ITO含量的增加,EVA/ITO材料的隔热性能不断提高.当红外灯照射一个用透明隔热片材做盖板的木盒时,与未添加ITO的EVA相比,用含3%ITO的EVA/ITO片材制作的盖板能够使木盒内的空气温度降低9.1℃.在所考察的ITO含量范围内,所制备的EVA/ITO透明隔热材料与玻璃的黏合强度均大于30N/cm.
关键词:
乙烯-乙酸乙烯酯共聚物胶膜
,
氧化铟锡
,
隔热材料
,
透明性
王建民
,
王开啸
,
朱筠清
,
陈翌庆
,
张新华
,
周猛
金属功能材料
本文利用了一种简单的热蒸发法制备出了氧化铟锡(ITO)八面体纳米结构,借助X射线衍射分析仪、能谱分析、场发射扫描电子显微镜以及透射电子显微镜观测样品的结构形貌以及成分分析,结果显示ITO八面体纳米结构每个棱的长度在50～300 nm之间,所得到的晶体棱角分明.利用分光光谱仪观测样品的发光性能,发射中心分别处于417 nm和437 nm,并初步探索了其生长机制.
关键词:
氧化铟锡
,
八面体纳米结构
,
热蒸发
,
发光性能
黄晓辉
,
左秀荣
,
姬中华
电镀与涂饰
采用直流反应磁控溅射在AlMn合金表面制备出ITO薄膜.采用扫描电镜、X射线衍射、紫外-可见光测试、磨损试验、盐雾试验、薄膜厚度测量和显微硬度试验等方法对制备的ITO薄膜表面进行检测分析.结果表明:在溅射功率210 W、衬底温度120℃、溅射时间20 min的条件下,AlMn合金表面的ITO薄膜晶粒尺寸细小,与基底结合良好,AlMn合金表面光泽度好,强度、硬度高,并具有一定的耐磨、耐蚀性能.
关键词:
铝锰合金
,
氧化铟锡
,
薄膜
,
直流反应磁控溅射
刘永红
,
赵高扬
,
张卫华
功能材料
以无机盐为出发原料,采用溶胶-凝胶法制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜.进一步研究了热处理气氛、温度、Sn掺杂量对In2O3薄膜电学及光学性能的影响.分别在氮气、真空和空气3种环境下对薄膜进行热处理,结果表明真空热处理后薄膜的导电性最好.研究了薄膜方块电阻随锡掺杂量的变化,发现薄膜的方阻随掺锡量的增加先减小后增加,并在掺杂量为7mol%左右时达到最低;另外探讨了热处理温度对薄膜光电性能的影响,结果发现薄膜方块电阻随热处理温度的升高而减小,且热处理温度高于700℃后变化不显著,薄膜在可见光区平均透过率随热处理温度升高呈上升趋势.本研究所制得的薄膜可见光区(400～800nm)平均透过率可达85%、方阻约为66Ω.
关键词:
溶胶-凝胶法
,
氧化铟锡
,
导电性
,
透过率
刘家祥
,
李敏
,
甘勇
,
王海宁
稀有金属材料与工程
采用化学共沉淀法制备纳米级氧化铟锡复合粉体前驱物,煅烧得到纳米级氧化铟锡(ITO)复合粉体,用TG-DTA,XRD,TEM,ICP-AES,XRF和BET研究了纳米级ITO复合粉体的性能.前驱物铟锡氢氧化物的分解温度为291.5℃,300℃下烧结即可得到立方结构的ITO结晶粉体,Sn嵌入到In2O3晶格中,形成单相的ITO固溶体颗粒.随着温度的升高,ITO固溶体颗粒结晶更完全,晶粒长大.前驱物铟锡氢氧化物分别在600℃,800℃和900℃煅烧4 h得到粒度均匀、分散性好、粒径为20 nm～30 nm的类球形ITO复合粉体.600℃煅烧得到的ITO复合粉体的纯度为99.995%,配比为In2O3:90.045%,SnO2:9.955%,比表面积为50.88 m2/g.该粉体烧结活性高,将该粉体用简单的烧结工艺在1000℃烧制的ITO靶材相对理论密度达到99.25%.
关键词:
纳米粉体
,
氧化铟锡
,
制备技术
,
性能
王生浩
,
张静全
,
王波
,
冯良桓
,
蔡亚平
,
雷智
,
黎兵
,
武莉莉
,
李卫
,
曾广根
,
郑家贵
,
蔡伟
功能材料
采用直流反应磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,通过四探针、紫外可见分光光度计、X射线衍射(XRD)、霍尔效应仪、扫描电镜(SEM)等对薄膜样品进行了表征,研究了溅射功率和氧分压对ITO薄膜微观结构和光电性能的影响,结果表明:溅射功率对ITO的光电性能影响较小,沉积速率随着溅射功率的增大而加快;随着氧分压的升高,载流子浓度降低,霍尔迁移率先增大后减小,电阻率逐渐增大.在优化的工艺条件下,制备了在可见光区平均透过率达85%、电阻率为1×10-4Ω·cm的光电性能优良的ITO薄膜.
关键词:
氧化铟锡
,
直流磁控溅射
,
电阻率
,
透光率
李晓冬
,
朱红兵
,
褚家宝
,
黄士勇
,
孙卓
,
陈奕卫
,
黄素梅
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.05.011
在低真空(2.3×10-3 Pa)下采用射频磁控溅射法制备了ITO薄膜.溅射温度200 ℃,溅射气氛为氩气和氧气的混合气,溅射靶材为90 %氧化铟、10 %氧化锡的陶瓷靶.用场发射扫描电子显微镜和X衍射仪研究了薄膜的显微结构, 用X射线光电子能谱表征了薄膜的成分.ITO薄膜在可见光范围内有较高的透射率(80 %～95 %).在低工作气压(1 Pa)下,氧气流量比率[O2/(O2+Ar)]越小,薄膜的透射率越高、导电性越好.在高工作气压(2 Pa)下,制备得到低质量、低透射率的无定形薄膜.
关键词:
氧化铟锡
,
薄膜
,
射频磁控溅射
,
X射线光电子能谱
