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原词结果 | 译词结果

氧化铱薄膜的制备及其导电机理研究

公衍生 , 周炜 , 梁玉军 , 谭劲

稀有金属材料与工程

采用脉冲激光沉积技术在Si(100)衬底上制备了高导电的IrO2薄膜,重点研究了退火前后其电学性能和微观结构的变化规律.采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、光电子能谱(XPS)和四探针法对退火前后IrO2薄膜的结构和电性能进行了表征,并利用霍尔效应研究了IrO2薄膜的导电机理.结果表明:IrO2薄膜在空气中退火后,导电性能得到提高,其中在750℃退火的电阻率达到最小值37μΩ·cm.在25～500℃范围内,IrO2薄膜的高温电阻率随着温度的升高呈线性关系逐渐增大,呈现出类似金属的导电特征.在250～400℃沉积的IrO2薄膜载流子的类型为p型；沉积温度较高(500℃)或在更高温度退火处理后,IrO2薄膜载流子的类型为n型,其导电机理以电子导电为主.

关键词: 氧化铱薄膜 , 电性能 , 导电机理 , 霍尔效应

直流磁控反应溅射制备IrO₂薄膜

王世军 , 丁爱丽 , 仇萍荪 , 何夕云 , 罗维根

无机材料学报

为研究氧化依（ＩｒＯ_２）对ＰＺＴ铁电薄膜疲劳性能的影响，利用直流（ＤＣ）磁控反应溅射（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）工艺成功地在ＳｉＯ_２／Ｓｉ（１００）衬底上制得了高度取向的ＩｒＯ_２薄膜．并在其上制成ＰＺＴ铁电薄膜．讨论了溅射参数（溅射功率、 Ａｒ／Ｏ_２比、衬底温度）以及退火条件对氧化铱薄膜的结晶、取向和形态的影响．

关键词: 氧化铱薄膜 , DC magnetron reactive sputtering , thermal annealing

脉冲激光沉积技术制备IrO2薄膜的研究

夏明祥 , 王传彬 , 公衍生 , 沈强 , 张联盟

稀有金属材料与工程

利用脉冲激光沉积(PLD)技术,在Si(100)衬底上制得了导电氧化铱(IrO2)薄膜.讨论了沉积参数(O2分压、衬底温度)对IrO2薄膜的结构、表面形貌和导电性的影响.结果表明:20 Pa为最佳O2分压、400℃～500℃为适宜的沉积温度,此条件下制得的IrO2薄膜结晶完整,组织均匀、形状一致,排列致密,其最低电阻率约为42μΩ·cm.

关键词: 氧化铱薄膜 , 脉冲激光沉积 , 电阻率

直流磁控反应溅射制备IrO2薄膜

王世军 , 丁爱丽 , 仇萍荪 , 何夕云 , 罗维根

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.04.027

为研究氧化铱(IrO2)对PZT铁电薄膜疲劳性能的影响，利用直流(DC)磁控反应溅射(sputtering)工艺成功地在SiO2/Si(100)衬底上制得了高度取向的IrO2薄膜. 并在其上制成PZT铁电薄膜. 讨论了溅射参数(溅射功率、Ar/O2比、衬底温度)以及退火条件对氧化铱薄膜的结晶、取向和形态的影响.

关键词: 氧化铱薄膜 , 直流磁控反应溅射 , 热退火

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