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氧化镍纳米线的制备及光电性能研究

刘伟星 , 姚素薇 , 张卫国 , 韩玉鑫

电镀与涂饰 doi:10.3969/j.issn.1004-227X.2006.12.004

通过电沉积法在阳极氧化铝(AAO)模板内制备了镍纳米线,然后在800℃下氧化8 h得到NiO纳米线.利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)对NiO纳米线的组成、结构和形貌进行了表征,并测试了NiO/AAO阵列体系的光电压.测试结果表明:NiO纳米线为面心立方结构,平均晶粒尺寸为50 nm,纳米线直径约90nm,与模板孔径相当;长度约为25 μm,并受镍纳米线沉积时间的影响;在紫外灯(365 nm)照射下,40V比60V NiO/AAO阵列体系的光电压大.

关键词: 电沉积 , 氧化镍纳米线 , 光电性能 , 光电压 , 面心立方 , 晶粒尺寸

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