戚云娟
,
朱昌
,
梁海峰
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2011.05.005
采用反应磁控溅射法在k9玻璃基底上沉积ZrO2薄膜.用轮廓仪、椭圆偏振仪和分光光度计,分别测试薄膜的厚度、折射率、消光系数和透过率,研究了不同氧流量对薄膜沉积速率和光学特性的影响.结果表明:随着氧气流量增加到22～24 mL/min(标准状态下)时,沉积速率从6.8 nm/s下降到2.5 nm/s,并趋于稳定；在入射波长630 nm处,薄膜的折射率为1.95,消光系数小于10-5；在可见及近红外波段,薄膜平均透过率高于80％.
关键词:
ZrO2薄膜
,
反应磁控溅射
,
氧流量
,
光学特性
李世涛
,
乔学亮
,
陈建国
材料导报
靶材为铟锡氧化物(In2O3:SnO2=1:1),用射频磁控溅射法在低温下制备了光电性能优良的ITO薄膜.质量流量计调节Ar气压强为0.2～3.0Pa,氧流量为0～10sccm,并详细探讨了溅射时氩气压强和氧流量变化对ITO薄膜光学性能的影响.结果表明:溅射Ar气压强为0.8Pa,氧流量为2.4sccm时,薄膜的折射率最低n=1.97,较接近增透膜的光学匹配.薄膜厚度为241.5nm时,薄膜的最大透过率为89.4%(包括玻璃基体),方阻为75.9Ω/□,电导率为8.8×10-4Ω·cm.
关键词:
磁控溅射
,
氧流量
,
ITO薄膜
,
室温
李世涛
,
乔学亮
,
陈建国
稀有金属材料与工程
采用射频磁控溅射法,在不同氧流量(0～10sccm)的条件下沉积了铟锡氧化物(In2O3-SnO2)透明导电薄膜.紫外分光光度计测试薄膜的透射率,四点探针测试薄膜的方阻,椭偏仪测试薄膜的复折射率和薄膜厚度,XPS测试ITO薄膜的成分和电子结构.结果表明:薄膜的沉积速率和折射率与氧流量有关,薄膜厚度为60nm,氧流量在9 sccm时,透射率超过80%(波长λ=400 nm～700 nm,包括玻璃基体),退火后透射率、方阻明显改善.XPS分析表明,薄膜中的亚氧化物的存在降低了薄膜的光电性能,控制氧流量可减少亚氧化物.
关键词:
磁控溅射
,
铟锡氧化物
,
透明导电薄膜
,
氧流量
杨文远
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张先贵
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吕英华
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崔怀周
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肖尊湖
,
侯春
钢铁
通过水模实验测量了氧枪喷头参数及供氧条件对喷溅率的影响。试验结果加深了对氧射流与熔池作用的认识,为氧枪喷头设计及制定供氧制度提供了依据。多孔喷头射流对熔池的作用是各单孔喷头叠加的结果。为获得良好的冶金效果,要把氧枪喷头参数和供氧制度都控制在合理范围。
关键词:
转炉
,
氧枪喷头
,
氧流量
,
喷溅
