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磁控溅射TiN薄膜的工艺及电学性能研究

胡敏 , 刘莹 , 赖珍荃 , 刘倩 , 朱秀榕

功能材料

采用反应直流磁控溅射法,在Si基底上制备TiN薄膜.研究了溅射沉积过程中溅射气压和Ar/N2气体流量比对TiN薄膜结构及其电学性能的影响,并对试验结果进行了分析.研究发现,在Ar/N2气体流量比为15:1时,TiN薄膜的表面均方根粗糙度和电阻率都为最小.当溅射气压增大时,薄膜厚度减小.当溅射气压为0.3～0.5Pa时,薄膜表面较光滑,电阻率较小.

关键词: TiN薄膜 , 磁控溅射 , 氩气/氮气流量比 , 溅射气压 , 电学性能