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激光作用下Ges2非晶半导体薄膜的性能及结构变化

刘启明 , 干福熹 , 顾冬红

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.04.027

采用514.5nm波长的氩离子激光器,结合X射线衍射分析(XRD)、红外光谱分析(IR)、扫描电镜分析(SEM)和透射光谱分析,研究了GeS2非晶半导体薄膜在激光辐照后的性能及结构变化.实验结果发现,经热处理和激光辐照后,薄膜的光学吸收边均移向短波长处,并且随着辐照激光强度和辐照时间的增加而增加,这种平移在退火薄膜中是可逆的.SEM结果分析表明,薄膜在激光辐照后有晶相出现,且随着辐照激光强度的增加,晶相更多.

关键词: GeS2非晶半导体薄膜 , 氩离子激光辐照 , 光致变化

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