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赵洪辰 , 海潮和 , 韩郑生 , 钱鹤
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.01.016
在商用 SIMOX衬底上制备了部分耗尽抗辐照 H型栅 NMOSFETs,使用的主要技术手段有: 氮化 H2- O2合成栅介质加固正栅;增加体区掺杂,以提高背栅阈值电压;采用 H型栅结构,消除边 缘寄生晶体管.结果表明,在经受 1E6rad(Si)的辐照后,器件特性没有明显恶化.
关键词: SOI , 总剂量辐照 , 氮化H2-O2合成栅介质 , H型栅
