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Si3N4薄膜的表面微观特性

陈俊芳 , 吴先球 , 王德秋 , 丁振峰 , 任兆杏

功能材料

利用偏心静电单探针诊断了反应室内的等离子体密度的空间分布;在不同的工艺条件下制备了Si3N4薄膜;由STM和Telystep-Hobbso轮廓仪研究了ECR-PECVD制备的Si3N4薄膜的表面微观特性,分析了沉积温度对ECR-PECVD制备的Si3N4薄膜表面平整度特性影响的物理机理;结果表明ECR-PECVD制备的薄膜是一种表面均匀致密的纳米Si3N4薄膜.

关键词: 氮化硅:薄膜表面平整度 , 沉积温度