张淑芳
,
方亮
,
付光宗
,
董建新
,
彭丽萍
材料导报
采用高纯铝靶和氮/氩混合气氛,在玻璃衬底上用直流反应磁控溅射法制备了AlN薄膜,用X射线光电子能谱(XPS)分析了不同衬底温度下样品的组成.结果表明,AlN薄膜主要含有AlN,存在少量Al2O3及一些其它杂质;随着基片温度的升高,AlN薄膜的纯度提高.
关键词:
氮化铝薄膜
,
磁控溅射
,
XPS
,
AFM
范克彬
,
沈伟东
,
王立春
,
熊斌
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2007.01.012
利用正交设计分析了直流磁控溅射中溅射气压,衬底温度和N2浓度对SiO2/Si衬底上制备的AIN薄膜的(002)择优取向的影响水平.利用X-射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)对薄膜的晶向和表面形貌进行了分析,得到制备高度择优取向的A1N薄膜的最佳期望条件:衬底温度为250C,溅射气压为2Pa,N2浓度为75%;并得出了氮气浓度对薄膜的(002)择优取向的影响较大.具有择优取向的AIN薄膜的折射率约为2.06.
关键词:
氮化铝薄膜
,
正交设计
,
溅射参数
,
择优取向
朱春燕
,
朱昌
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2008.01.006
为了制备光学性能良好的AlN薄膜.采用磁控反应溅射法制备了氮化铝(AlN)薄膜,利用椭圆仪、分光光度计、傅立叶变换光谱仪对AlN薄膜进行了相关光学性能的分析.结果表明:在波长为400～1100nm时,AlN薄膜的折射率为2.0～2.4,透过率都在88%以上;在200～300nm远紫外光范围内,薄膜具有强烈的吸收;在红外吸收光谱中,677cm-1处存在1个强烈的吸收峰,说明薄膜中已经形成了AlN.
关键词:
氮化铝薄膜
,
折射率
,
透过率
,
红外光谱
,
磁控反应溅射法
许小红
,
张富强
,
武海顺
,
张聪杰
,
李佐宜
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2001.06.021
反应溅射制备AlN薄膜时,薄膜的择优取向与众多的实验参数有关.建立晶面择优取向程度与溅射气压、靶基距、靶功率等重要实验参数之间的函数关系,避免了研究每一项参数对薄膜择优取向影响所需的实验次数的繁多,得到制备择优取向程度最佳薄膜的实验参数.同时,通过用该函数关系式计算得到结果与实验结果比较,发现两者具有很好的一致性.这一系列函数关系式的建立,对进一步设计新的实验方案、验证已有的实验结果以及制备良好择优取向薄膜都有着重要意义.
关键词:
氮化铝薄膜
,
实验参数
,
择优取向
,
函数关系
李松玲
,
王如志
,
赵维
,
王波
,
严辉
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.06.005
采用反应磁控溅射法在不同工作气压(0.5～2.0 Pa)下沉积了一系列氮化铝(AIN)薄膜.研究发现,在保持其他工艺参数不变的条件下,工作气压对薄膜厚度的影响很小.场发射性能测试表明,在较低的工作气压(0.5 Pa和0.7 Pa)下制备的A1N薄膜具有一定的场发射性能.扫描电子显微镜(SEM)图像显示,在较高的工作气压(2.0 Pa)下制备的薄膜易产生空位及微空洞等缺陷,使薄膜致密性下降.电子在薄膜中的输运因受到缺陷的散射而不能隧穿表面势垒进行发射.研究表明,为获得具有良好场发射性能的A1N薄膜,若采用反应磁控溅射法,应选取较低的工作气压;同时,对于薄膜型阴极,具有紧密晶粒结构及较小缺陷的薄膜可能具有更优异的场发射性能.
关键词:
氮化铝薄膜
,
场发射
,
工作气压
,
缺陷
李鹏飞
,
陈俊芳
,
符斯列
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2016.04.023
目的 制备性能优异的氮化铝薄膜.方法 采用射频感应耦合离子源辅助直流磁控溅射的方法 制备氮化铝薄膜,在不同的气压下,在Si(100)基片和普通玻璃上生长了不同晶面取向的氮化铝薄膜.使用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)分析氮化铝薄膜的结构、晶面取向、表面形貌及薄膜表面粗糙度,使用紫外可见分光光度计测定薄膜的透过率,并计算薄膜的禁带宽度.研究气压的大小对磁控溅射制备氮化铝薄膜微观结构的影响.结果 在各气压下,薄膜生长以(100)面取向为主.在0.7Pa前,(100)面的衍射峰强度逐渐增强,0.7 Pa之后减弱.(002)面衍射峰强度在0.6Pa之前较大,0.6Pa之后变小.各气压下薄膜表面均方根粗糙度均小于3nm,且随着气压的增大先增大后减小,0.7 Pa时最大达到2.678nm.各气压下所制备薄膜的透过率均大于60%,0.7Pa时薄膜的禁带宽度为5.4eV.结论 较高气压有利于(100)晶面的生长,较低气压有利于(002)晶面的生长;(100)面衍射峰强度在0.7 Pa时达到最大;随气压的增大,薄膜表面粗糙度先增大后减小;所制备的薄膜为直接带隙半导体薄膜.
关键词:
气压
,
磁控溅射
,
氮化铝薄膜
,
离子源
,
粗糙度
,
直接带隙
阳明明
,
王晓丹
,
曾雄辉
,
郭昀
,
张纪才
,
徐科
人工晶体学报
采用离子注入的方法在氮化铝薄膜中实现pr3和Tm3元素的单掺杂和共掺杂.以Raman光谱为主要表征手段,对离子注入过程中薄膜内部的应力变化进行研究;以阴极荧光为主要表征手段,对其低温和室温下的发光特性进行研究.Raman光谱的结果显示,离子注入过程使得薄膜内部应力下降,而退火过程使得薄膜内部应力升高.阴极荧光光谱结果显示,AIN:Pr3+主要跃迁峰位于528 nm;AIN:Tm3+主要跃迁峰位位于467 nm;AIN:Pr3+,Tm3+主要跃迁峰位位于528 nm和467 nm.AIN:Tm3+的低温光谱显示,与1I6和1D2两个能态相关的跃迁峰相对强度会随着温度出现急剧变化,由此表明在Tm3+之间存在与温度相关的相互作用.
关键词:
氮化铝薄膜
,
Tm3+
,
Pr3+
,
光谱特性
