张恩霞
,
孙佳胤
,
易万兵
,
陈静
,
金波
,
陈猛
,
张正选
,
张国强
,
王曦
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.008
采用氧氮共注的方法制备了氮氧共注隔离 SOI (SIMON) 圆片,对制备的样品进行了二次离 子质谱和透射电镜分析,并对埋层结构与抗辐射性能的机理进行了分析.结果表明,注氮剂量较低 时埋层质量较好.机理分析结果表明,圆片的抗辐照性能与埋层质量之间存在很密切的关系,埋层 的绝缘性能是影响器件抗辐射效应的关键因素.
关键词:
氧氮共注
,
氮氧共注隔离
,
SIMON
,
SOI
,
注入剂量
