张俊宝
,
雷廷权
,
温广武
,
周玉
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2001.04.025
综述了氮氧化硅的制备方法,系统介绍了无机固相反应法、化学气相沉积法和有机先驱体法制备氮氧化硅的工艺条件,阐述了终产品与原料和工艺条件的关系,并指出了各方法的优缺点和亟待解决的问题.着重介绍了聚合物先驱体的合成方法和结构影响因素,并详细介绍了热分解条件对氮氧化硅陶瓷成分和性能的影响.这对氮氧化硅陶瓷的成分设计、合成和性能研究具有重要指导意义.
关键词:
氮氧化硅
,
固相反应
,
化学气相沉积
,
有机先驱体
孟祥森
,
袁骏
,
马青松
,
葛曼珍
,
杨辉
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.1999.04.003
氮氧化硅薄膜综合了SiO2膜和Si3N4膜的优点,具有优秀的光电性能,力学性能和稳定性能,已经在光电领域获得了广泛地应用,此外在材料改性方面也有广阔的应用前景.本文综合评述了几种氮氧化硅薄膜的制备方法,比较了各自的优缺点,并指出了今后制备方法的发展趋势.
关键词:
氮氧化硅
,
薄膜
,
制备
,
化学气相沉积
,
物理气相沉积
,
高温氮化
尹传强
,
李兵
,
魏秀琴
,
周浪
人工晶体学报
以回收提纯硅片线锯屑粉与气相白炭黑为原料,合成出晶须状氮氧化硅粉体.实验研究了原料摩尔配比、保温温度、保温时间等工艺参数对氮氧化合成产物的影响.结果表明,回收提纯硅片线锯屑粉与气相白炭黑摩尔比为2.0:1 ～2.6:1、保温温度为1380℃、保温时间为4h条件下可获得较为纯净的氮氧化硅粉体.产物中同时伴生一种类似于Ol-SiAlON结构的氮氧化硅低温亚稳相(LM Si2N2O),且该亚稳相含量随着原料摩尔配比的降低、温度的升高、时间的延长逐渐降低.所形成的氮氧化硅呈晶须状的原因与白炭黑的气化挥发及随后的氮氧化硅气相沉积生长机制有关.
关键词:
硅片线锯屑
,
白炭黑
,
氮氧化硅
,
低温亚稳相
张宗波
,
罗永明
,
徐彩虹
材料导报
氮氧化硅薄膜材料具有优异的热力学、介电及光学性能,在微电子、光学器件等方面有着重要应用.其主要制备方法包括化学气相沉积、溅射、直接氮化/氧化及离子植入.综述了该类材料的制备方法和应用研究进展,并指出了制备方法和应用研究的发展方向.
关键词:
氮氧化硅
,
薄膜材料
,
制备方法
,
应用
孟祥森
,
马青松
,
葛曼珍
,
杨辉
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2000.02.006
我们用常压化学气相沉积法(APCVD),以SiH4和NH3为先驱体,在较低的温度(＜700℃)下制备氮氧化硅(Si-O-N)薄膜,并对其性能进行了研究.研究结果表明氮氧化硅薄膜能使改性后平板玻璃硬度提高40%,并具有良好的抗高温氧化性,这种薄膜在材料表面改性领域有着广阔的应用前景.
关键词:
氮氧化硅
,
APCVD
,
硬度
,
高温氧化性
,
表面改性
魏文霖
,
孟祥森
,
袁骏
,
杨辉
,
葛曼珍
,
季振国
材料导报
氮氧化硅(SiON)薄膜是一种新型的薄膜材料,具有优良的充电性能、机械性能、钝化性能和化学稳定性能,但杂质氢的存在限制了它的应用.详细阐述了氮化硅薄中氢杂质的存在活动及其对薄膜性能的影响,并提出了降低氢含量的合理方法.
关键词:
氮氧化硅
,
薄膜
,
性能
,
杂质
,
氢
明亮
,
尹传强
,
魏秀琴
,
周浪
材料科学与工程学报
氮化硅及氮氧化硅粉体在多晶硅光伏产业中有重要应用.本文研究其气相反应形成条件.研究结果显示,晶体硅微粉的气相氮化及氮氧化特性与体材大不相同,它使得硅的氮化和氮氧化得以在体系中氧分压远高于热力学临界平衡氧分压、处于氧化硅稳定区的条件下实现.其原因在于反应过程中粉体表层氧化反应后耗氧,使粉体内部实际氧分压大幅度降低.实验结果表明,晶体硅微粉的气相氮化约需1400℃方能有效进行,在气相反应条件下,α-Si3N4与βSi3N4均能形成,随保温时间延长,旷Si3N4相对量提高;晶体硅微粉在氮-氧混合气体中的氮氧化行为对气氛的氧分压十分敏感,氧分压较高时形成SiO2并阻止反应进一步进行,较低时形成Si3N4,氧分压为0.1atm时较适合Si2N2O形成.
关键词:
硅
,
氮化硅
,
氮氧化硅
,
粉体
,
热力学平衡
钟虹敏
,
张华
,
万慧慧
色谱
doi:10.3724/SP.J.1123.2012.11032
硅胶是目前高效液相色谱(HPLC)固定相中应用最为广泛的基质材料,其流动相的最佳使用范围为pH 2～8.在高pH(pH ＞8)的流动相条件下,流动相中的氢氧根会进攻硅胶基质表面残余的硅醇基,导致硅胶基质固定相骨架溶解.在前期的研究中,我们将高温氨气处理多孔硅胶微球得到的氮氧化硅材料用作HPLC固定相,氮氧化硅在高pH流动相条件下表现出了较硅胶更高的稳定性.本文利用元素分析对氮氧化硅材料的氮化程度及含氮量进行系统的表征,并考察了氮氧化硅材料在不同pH条件下的静态稳定性.利用十八烷基二甲基氯硅烷试剂对氮氧化硅材料表面进行疏水性修饰,并以元素分析和核磁共振波谱对表面键合氮氧化硅材料进行了表征.考察了不同碳链的烷基苯、酸性化合物、碱性化合物在疏水改性的C18氮氧化硅反相色谱固定相上的色谱分离性能.进一步分别以酸、碱和中性化合物为分析对象,比较了C18-SiON1050(10)与C18-SiO2色谱保留的差异.
关键词:
硅胶
,
氮氧化硅
,
元素分析
,
液相色谱固定相
,
反相色谱
何善传
,
贾庆明
,
苏红莹
,
马艾华
,
陕绍云
,
胡天丁
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.015.013
综述了近几年氮氧化硅复合材料、氮氧化硅薄膜材料和介孔氮氧化硅材料的研究与发展现状。着重介绍了氮氧化硅薄膜材料的发光特性和折射率可调特性，及其不同的制备方法。同时介绍了介孔氮氧化硅材料和Si3 N4／Si2 N2 O、SiC／Si2 N2 O及BN／SiNOf 三种应用较多的氮氧化硅复合材料的研究现状。并对氮氧化硅材料的研究与应用进行了展望。
关键词:
氮氧化硅
,
复合
,
薄膜
,
介孔
,
特性
,
制备方法
李兵
,
尹传强
,
魏秀琴
,
周浪
人工晶体学报
研究了以回收提纯的太阳电池硅片线锯屑粉与粗粒石英粉为原料直接用N2气体氮化合成氮氧化硅(Si2N2O)的工艺条件,分析原料配比和反应温度对氮氧化合成产物的影响.结果表明,采用这种线锯硅屑粉为原料,可以在1450℃下4h常压纯氮合成条件下得到氮氧化硅产物;当原料摩尔比n(Si)/n(SiO2)=1.5时,所得产物在XRD检测能力范围显示为纯Si2N2O相,不含氮化硅副产物相.从反应相对增重量分析推测,反应体系中可能包含SiO2在高温和低氧分压条件下的转变为Si2N2O的过程.
关键词:
氮氧化硅
,
硅锯屑
,
石英
