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Effect of Deposition Temperature on Dynamics and Mechanism of Deposition for Si-B-C Ceramic from BCla/SiCH3Cl3/H2 Precursor

材料科学技术（英）

关键词: 沉积温度 , 化学成分 , 动力学 , 机理 , 陶瓷 , 沉积速率 , 形态学变化 , 微观结构

沉积温度和生长停顿对离子束溅射生长Ge/Si多层膜的影响

杨杰 , 王茺 , 欧阳焜 , 陶东平 , 杨宇

人工晶体学报

采用离子束溅射技术生长了一系列Ge/Si多层膜,研究了沉积温度和生长停顿对Ge/Si多层膜结晶性和界面结构的影响.通过对Raman峰峰位、峰强度比值和X射线小角衍射等方面的研究,发现综合控制沉积温度和生长停顿能够得到结晶性和界面都相对理想的多层膜.这为改善Ge/Si多层膜的离子束溅射生长提供了一种有效的方法.

关键词: 离子束溅射 , Ge/Si多层膜 , 沉积温度 , 生长停顿

CVD过程中温度对SiC涂层沉积速率及组织结构的影响

刘荣军 , 张长瑞 , 刘晓阳 , 周新贵 , 曹英斌

航空材料学报 doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2004.04.006

以CH3SiCl3-H2体系在1000～1300℃沉积了SiC涂层,研究了温度对涂层沉积速率的影响,应用自发形核理论解释了不同沉积温度下CVD SiC涂层的组织结构.结果表明,随着沉积温度的提高,CVD SiC涂层的沉积速率相应增大;1000～1200℃沉积过程为化学动力学控制过程, 1200～1300℃沉积过程为质量转移控制,1000℃和1100℃沉积的SiC涂层表面光滑、致密;1200℃和1300℃沉积的SiC涂层表面粗糙、多孔; 随着沉积温度的提高,CVD SiC涂层的晶体结构趋于完整,当温度超过1150℃时,涂层中除β-SiC外还出现了少量α-SiC.

关键词: 沉积温度 , CVD , SiC , 沉积速率 , 结构

沉积温度对多晶硅吸杂薄膜的影响

籍小兵 , 周旗钢 , 刘斌 , 徐继平

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2008.06.011

研究了在不同温度下生长多晶硅吸杂薄膜,薄膜应力对硅单晶抛光片翘曲参数的影响,并对所得的多晶硅薄膜结构进行扫描电镜观察.实验结果表明,随着沉积温度的不断升高.多晶硅晶粒不断长大,晶界减少,多晶硅薄膜应力逐渐降低.吸杂硅片的翘曲度逐渐减小,综合考虑硅片的吸杂效能与弯曲翘曲度控制,650～680℃为多晶硅薄膜最佳沉积温度.

关键词: 沉积温度 , 多晶硅 , 吸杂 , 晶粒

沉积温度对a-C:F薄膜结构与热稳定性的影响

陈玲玲 , 程珊华 , 宁兆元 , 辛煜

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.007

在不同的沉积温度下,利用CHF3和C2H2为气体源,在微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)系统中制备了氟化非晶碳(a-C:F)薄膜,为了研究其热稳定性,薄膜在500℃的真空中作了退火处理.测量了退火前后其电学、光学性质的变化,使用FTIR、Raman、XPS方法考察了其结构随沉积温度的变化,分析了性质同结构之间的关联.结果表明,在高的沉积温度下制备的薄膜中的F/C比较低,CF2和CF3键成分较少而以CF键成分为主,其交联程度高,因而具有较好的热稳定性.

关键词: a-C:F , 沉积温度 , 红外吸收谱 , 热稳定性

沉积温度对电沉积PbS薄膜结构和性能的影响

韩文 , 曹丽云 , 黄剑锋 , 王吉富

人工晶体学报

采用电沉积法在ITO导电玻璃表面沉积了PbS薄膜,并用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)以及傅立叶变换红外光谱仪(FT-IR)对薄膜的结构和光学性能进行了表征,研究了沉积温度对薄膜的相组成、显微形貌以及光学性质的影响.结果表明:在U=3 V,pH=2.5,T=60 ℃,沉积时间为20 min,加入EDTA作络合剂的情况下,可制备出沿(111)和(200)晶面取向生长的立方相PbS薄膜.薄膜显微结构均匀而致密,随着反应温度从20 ℃增加到60 ℃,薄膜内的压应力逐渐减小,禁带宽度也随着变小.所制备的微晶PbS薄膜的禁带宽度约为0.39 eV.

关键词: PbS薄膜 , 电沉积 , 沉积温度 , 光学性能

溅射工艺对LaNiO3薄膜结构的影响

张丛春 , 石金川 , 刘兴刚 , 杨春生

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.01.048

采用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上制备了LaNiO3薄膜.通过原位加热或后续热处理使薄膜晶化.借助X-ray衍射分析、电感耦合等离子体发射光谱、原子力显微镜等手段研究了溅射工艺对薄膜显微结构的影响.实验结果表明,溅射时是否加热对薄膜的结晶取向影响很大,而氧分压则影响La/Ni比.衬底不加热时,通过后续热处理得到多晶的随机取向薄膜,而当溅射时原位加热300℃,则得到有明显(100)择优取向的薄膜.

关键词: 磁控溅射 , 镍酸镧薄膜 , 择优取向 , 沉积温度

沉积温度对Ge_2Sb_2Te_5溅射薄膜结构、电/光性质的影响

孙华军 , 侯立松 , 缪向水 , 吴谊群

稀有金属材料与工程

在衬底加热条件下利用磁控溅射法制备Ge_2Sb_2Te_5薄膜,利用X射线衍射仪表征各种沉积温度下薄膜的结构,差示扫描量热法(DSC)确定的薄膜晶化温度为168℃(加热升温速率为5℃/min).用四探针法测试薄膜的方块电阻,分光光度计测试薄膜的反射率谱,并根据反射率数据讨论在波长为405和650 nm时薄膜的反射率对比度同沉积温度关系.结果表明:室温沉积的薄膜为非晶态:在衬底温度为140℃条件下薄膜已完全转变为晶态Ge_2Sb_2Te_5,在300℃时出现少量的六方相:低于140℃时易形成非Ge_2Sb_2Te_5组分的其它晶相,它们对薄膜的电/光性质有很大的影响,可能是导致此类相变光存储薄膜使用过程中反射率对比度下降的原因.

关键词: Ge_2Sb_2Te_5薄膜 , 沉积温度 , 结构 , 电/光性质

LPCVD法制备SiC-MoSi2涂层的形貌及沉积机理研究

何子博 , 李贺军 , 史小红 , 付前刚 , 吴恒

材料导报

为提高碳/碳复合材料抗氧化性能,以甲基三氯硅烷(MTS)为先驱体,利用低压化学气相沉积(LPCVD)技术在碳/碳复合材料表面制备SiC-MoSi2涂层,通过XRD和SEM分析了不同沉积温度下涂层结构、物相组成及其沉积机理.结果表明,沉积温度对涂层的成分、结构及致密度有较大影响,在1100～1250℃均可成功得到SiC- MoSi2涂层,1100℃所得涂层结构疏松多孔；1250℃制备的涂层中间部位孔隙较多,表层为致密SiC涂层；1150～1200℃之间可得到均匀致密、以MoSi2颗粒为分散相、以CVD-SiC为连续相的SiC-MoSi2双相陶瓷涂层.

关键词: 低压化学气相沉积 , SiC-MoSi2 , 双相陶瓷涂层 , 沉积温度 , 沉积机理

高气压下温度对金刚石膜择优取向的影响

周学芹 , 史玉芬 , 李坤 , 刘小利

材料科学与工程学报 doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2015.05.018

采用自主改进的圆柱谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源、反应腔压强30kPa、微波功率6kW、CH4浓度2％,在不同的沉积温度下进行了多晶金刚石膜的制备研究.采用扫描电镜、X-射线衍射技术对所制备样品的表面形貌、物相及晶面取向进行了分析.结果表明,在高气压条件下,沉积温度由800℃升高至900℃时,金刚石膜的表面形貌由(111)晶面择优取向逐渐转向(100)晶面择优取向;沉积温度由900℃升高至1050℃时,金刚石的表面形貌由(100)晶面择优取向逐渐转向(111)晶面择优取向.

关键词: MPCVD , 金刚石膜 , 沉积温度 , 择优取向