王晓强
,
甄聪棉
硅酸盐通报
在室温下用3 MeV的硅离子对聚酰亚胺(PI)薄膜进行注入,注入离子浓度为1×1012~1×1015 ions/cm2.对注入后的样品进行了拉曼光谱和电学性质的测试.拉曼分析表明:随注入量的增大,PI薄膜的结构有从绝缘体→类金刚石→石墨这样一个逐渐碳化的变化过程,即样品中的苯环,-CH3-等官能团减少,说明样品随注入量的增大逐渐碳化;电学性质测量表明,随着注入量的增大,样品的电阻逐渐下降.分析认为离子注入使聚合物碳化是引起聚合物电学性质发生改变的重要原因.
关键词:
聚酰亚胺薄膜
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高能离子
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注入
,
改性
陈小文
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蒋建平
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陈洪
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白新德
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薛祥义
稀有金属材料与工程
利用MEVVA源对Zr-4合金分别进行1×1016 ions/cm2至1×1017ions/cm2剂量的铈离子与铌离子注入,比较了Ce/Nb离子注入对Zr-4合金氧化行为的影响.结果表明,铈离子注入可以较大程度地提高Zr-4合金的抗氧化性能,而铌离子注入则在一定程度上使Zr-4合金的氧化性能下降.GAXRD分析显示,铈离子注入促进了氧化锆由单斜相向六方相的转变,但铌离子注入却对氧化锆相的转变没有影响.并探讨了Ce/Nb离子注入影响Zr-4合金氧化行为的机理.
关键词:
锆-4合金
,
氧化行为
,
注入
,
相变
于文革
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徐征
,
曲崇
,
徐恩生
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.03.007
制备了3种有机-无机异质结电致发光器件.由于电场强度或界面势垒的不同,这3种器件的发光性能和发光机理有很大的差别:器件A的发光主要是来自无机层的蓝光,器件 B中有机层和无机层都有发光,而器件C只有来自有机层的发光.对所制备的3种结构器件的EL进行了比较,研究了结构对发光起因的影响,揭示通过调节有机层和无机层厚度以及界面势垒高度可以实现对发光区域的控制.
关键词:
电致发光器件
,
有机-无机异质结
,
电场强度
,
界面势垒
,
碰撞激发
,
注入