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RF领域的SOI器件及低噪声放大器电路研究

海潮和 , 靳伟

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.005

从两种不同结构形式的部分耗尽器件性能研究入手,以0.6μmNMOS工艺为基础,设计并研制了在芯片内部具有高Q值的平面电感的SOI低噪声放大器电路.电路在1.5V电压下,中心频率1.8GHz时峰值增益为24dB,浮体SOI器件结构的LNA电路比体接触结构的LNA电路有更高的增益和较低的噪声.

关键词: RF , SOI , 浮体 , 放大器