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李庚伟 , 吴正龙 , 邵素珍 , 刘志凯
材料科学与工艺 doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2007.05.023
对于在Si(111)上用氧离子束辅助(O+-assisted)脉冲激光淀积(PLD)生长的ZnO薄膜,用X射线光电子能谱(XPS)深度剖析方法对长成的样品进行了异位测试,分析了导致各峰峰位能移的因素;通过异位与原位XPS谱图的比较,指出O+-assisted PLD法生成的ZnO薄膜中存在孔隙;指出生长出的ZnO薄膜中含si成分的厚度不超过18 nm;同时探讨了在长成的ZnO/Si上继续生长GaN薄膜的可行性.
关键词: ZnO/Si异质结构 , 氧离子束辅助(O+-assisted)PLD , X射线光电子能谱(XPS) , 深度剖析
季振国 , 朱玲
材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2002.04.003
光电子谱中的背景信号包含样品的信息,但过去往往被忽略.通过对背景信号简单的分析,可以获得成分随深度变化的信息.本文介绍了如何利用光电子谱的背景信号获得元素在深度方向的分布情况.本文所述方法可以用于纳米镶嵌结构、包裹物、表面偏析、氧化、钝化等体系的非破坏性深度剖析研究.
关键词: 光电子谱 , 背景信号 , 深度剖析
