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冶金分析
研究了湿化学法(120℃硝酸氧化,还有低温湿法氧化过程和高温退火组合)制备的极薄氧化物/6H-SiC结构的电学和光学性质.用深能阶暂态光谱学(电荷版)分析了电界面性质,用傅里叶变换衰减全反射红外光谱考察了极薄氧化物/6H-SiC结构的光学性质.发现界面缺陷结构的强转换依赖于应用的技术条件.
关键词: 碳化硅 , MOS , 硝酸氧化 , 傅里叶变换红外光谱 , 深能阶瞬态光谱
