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深亚微米栅HFET器件工艺研究

郑英奎 , 和致经 , 吴德馨

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.016

通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法,并利用复合胶结构,一次电子束曝光制作出具有T型栅的HFET(HeterojunctionField-EffectTransistor)器件,并对0.1μm栅长HFET器件的整套工艺及器件性能进行了研究.形成了一整套具有新特点的HFET器件制作工艺,获得了良好的器件性能(ft=78GHz;gm=440ms/mm).

关键词: 混合曝光 , HFET , T型栅