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矿物掺合料细度及掺量对水泥石渗流微结构影响的分析

贺行洋 , 陈益民 , 马保国 , 曾三海 , 苏英

材料导报

在运用渗流理论分析水泥石渗流微结构的基础上,探讨了有效发挥矿物掺合料效应的问题及其本质.分析表明,未水化粒子、水化产物等固相在水泥石空间内分布特性改变是影响矿物掺合料效应有效发挥的主要因素,是矿物掺合料掺入导致水泥石宏观力学性能下降的本质原因.要有效利用矿物掺合料的各种效应,需合理地控制未水化粒子、水化产物等固相在水泥石空间内分布特性,在化学反应活性一定的情况下,需对矿物掺合料粒径、掺量进行控制.

关键词: 矿物掺合料 , 粒径 , 掺量 , 掺合料效应 , 渗流理论

MWNTs/PVDF复合材料导电和介电性能的研究

张诚 , 俞苗锋 , 陈孟奇

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2008.z1.061

用熔融共混和热压工艺制备了多壁碳纳米管(MWNTs)和羧基化多壁碳纳米管(MWNTs-COOH)填充聚偏氟乙烯(PVDF)复合材料.研究了多壁碳纳米管体积含量、测试频率和温度对复合体系的电性能的影响.实验发现,MWNTs-COOH/PVDF复合体系的渗流阈值和渗流阈值附近的介电常数明显大于MWNTs/PVDF体系.利用渗流理论、Maxwell-Wagner界面极化效应和微电容模型解释了实验现象.

关键词: 羧基化多壁碳纳米管 , 电性能 , 渗流理论 , Maxwell-Wagner效应 , 微电容模型

无机颗粒填充聚合物复合材料的介电性能研究

黄良 , 朱朋莉 , 梁先文 , 于淑会 , 孙蓉 , 汪正平

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2014.19.003

随着埋入式电容器的发展,具有高介电性能聚合物基复合材料的研究显得尤为重要.目前,高介电聚合物基复合材料主要有两种,铁电陶瓷/聚合物复合材料和导电颗粒/聚合物复合材料.综述了这两种复合材料的特点和最新研究进展,概述了可以增强聚合物基复合材料介电性能的方法.首先针对铁电陶瓷/聚合物复合材料介电常数难以提高的缺点,指出通过高介电聚合物基体的选择、陶瓷填料含量与尺寸形貌的控制,可以有效地提高这类材料的介电常数;同时介绍了这类复合材料不同界面结构和稳固界面的重要性,重点阐述了形成化学键连接的“分子桥”结构的方法;然后针对导电颗粒/聚合物复合材料渗流阈值难以控制和介电损耗高的问题,探讨了影响渗流阈值的因素和减小介电损耗的方法;最后基于本课题组在功能性纳米填料、高介电聚合物复合材料的基础研究及应用探索方面的工作积累,对高介电聚合物基复合材料的未来发展方向做出展望.

关键词: 高介电性能 , 聚合物基体 , 复合材料 , 界面结构 , 渗流理论

Cu含量对BaTi03/Cu复相陶瓷材料介电性能的影响

蒲永平 , 许宁 , 王博 , 吴海东 , 陈凯

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00175

用传统固相法制备了(1-x)BaTiO3/xCu(x=5 wt%,10 wt%,15 wt%,20 wt%,25 wt%,30 wt%)复相陶瓷,研究了Cu含量对复相陶瓷材料的显微结构、渗流阈值及介电性能的影响.研究结果表明:BaTiO3/Cu复相陶瓷材料的电阻率随着铜含量的增加而下降,且在渗流阈值(x=25wt%)附近呈现非线性的下降趋势,复合材料从绝缘体逐渐变为导体.室温下1 kHz当Cu含量达到x=30wt%时复相陶瓷的介电常数为~9000,这是由于在导体和绝缘体的相界面处积累大量的空间电荷,并由此产生界面极化,导致介电常数的显著增大,且随着导体含量的增加,这种界面效应更加明显.复相陶瓷的介电损耗随着铜含量的增加而增大,但随着频率的升高,由于空间电荷的减少又会使损耗呈现下降的趋势.在25~115℃的温度范围内,复相陶瓷温度系数小于5%.具有很高的介电常数温度稳定性.

关键词: BaTiO3/Cu复相陶瓷 , 渗流理论 , 介电性能

Cu 含量对 BaTiO3/Cu复相陶瓷材料介电性能的影响

蒲永平 , 许宁 , 王博 , 吴海东 , 陈凯

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00175

用传统固相法制备了(1- x)BaTiO3/ xCu( x=5 wt%, 10 wt%, 15 wt%, 20 wt%, 25 wt%,30 wt%)复相陶瓷, 研究了Cu含量对复相陶瓷材料的显微结构、渗流阈值及介电性能的影响. 研究结果表明BaTiO3/Cu复相陶瓷材料的电阻率随着铜含量的增加而下降, 且在渗流阈值( x=25wt%)附近呈现非线性的下降趋势, 复合材料从绝缘体逐渐变为导体. 室温下1 kHz当Cu含量达到 x =30wt%时复相陶瓷的介电常数为~9000, 这是由于在导体和绝缘体的相界面处积累大量的空间电荷, 并由此产生界面极化, 导致介电常数的显著增大, 且随着导体含量的增加, 这种界面效应更加明显. 复相陶瓷的介电损耗随着铜含量的增加而增大, 但随着频率的升高, 由于空间电荷的减少又会使损耗呈现下降的趋势. 在25~115℃的温度范围内, 复相陶瓷温度系数小于5%,具有很高的介电常数温度稳定性.

关键词: BaTiO3/Cu复相陶瓷 , percolation theory , dielectric properties

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