苏良碧
,
董永军
,
杨卫桥
,
周国清
,
周圣明
,
赵广军
,
徐军
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.019
采用导向温度梯度法(TGT)生长CaF2晶体,建立了生长炉内的垂直温度梯度场.研究表明影响晶体质量及光学性能的主要因素包括坩埚材料、温度场、生长程序及原料纯度等.从大量的实验中总结出TGT法生长高质量CaF2晶体的生长条件如下:石墨坩埚;轴向梯度≤2℃/mm;生长降温速率1.5～2.5℃/h;冷却速率≤40℃/h.
关键词:
氟化钙(CaF2)晶体
,
温度梯度法(TGT)
,
位错密度
,
透过率
张浩
,
李琳
,
宋平新
,
张迎九
,
冷雨欣
,
许毅
,
董永军
人工晶体学报
采用温度梯度法(TGT)生长了直径为32 mm大尺寸ZnSe晶体.对生长出的ZnSe单晶进行了光学性能分析.采用磁控溅射方法在ZnSe晶体上镀铬膜,通过热扩散方法成功制备出中红外Cr∶ ZnSe激光晶体,并研究了Cr∶ZnSe晶体的光谱性能.吸收光谱测试观察到了Cr2+(3d4)取代四面体配位Zn2的5T2→5E能级的跃迁在1800nm的吸收带.77 K低温的光致发光光谱表明Cr∶ ZnSe晶体具有中心波长位于2.2 μm的宽谱带发射特征.
关键词:
ZnSe
,
Cr∶ZnSe
,
温度梯度法(TGT)
,
中红外
