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分子量对α相聚偏氟乙烯介电性能与储能特性的影响

赵月涛 , 陈燕 , 周榆久 , 杨文耀 , 徐建华

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2017.06.004

制备了4种不同分子量的α相聚偏氟乙烯(PVDF)膜,研究了PVDF分子量对其介电性能与储能特性的影响.研究结果表明,低分子量PVDF膜具有更窄的电滞回线,其充放电效率达到了73.05%,是高分子量薄膜的2.27倍.进一步的研究发现,在1 000 kV/cm电场下,低分子量PVDF膜的漏导电流为0.07175 μA,远低于高分子量PVDF膜,并体现出较高的电阻率(22.7 TΩ·m),更适合作为储能电容器的电介质材料.

关键词: 相对介电常数 , 充放电效率 , 漏导电流 , 电阻率

(Ba0.5Sr0.5)Nb2O6基玻璃添加对BiFeO3陶瓷多铁性能的影响

张盼盼 , 蒲永平 , 吴煜蓉 , 赵娇娇 , 罗延杰 , 刘雨雯

人工晶体学报

采用固相法制备BiFeO3-x[BSN-G](x=0~5.0wt%)陶瓷样品,研究添加不同量的BSN-G对BiFeO3陶瓷微观形貌,电性能及磁性能的影响.研究结果表明:BSN-G的加入使得陶瓷样品气孔率降低,致密度提高.随着x的增加,陶瓷的介电常数和介电损耗呈逐渐降低趋势,当x=5%时,样品在1 kHz频率下的介电损耗为0.003.此外,添加BSN-G使得BiFeO3陶瓷的漏导电流降低,x=5%的样品具有饱和的电滞回线,其饱和极化强度Ps为1.5 μC/cm2,漏导电流密度J为0.39×10-6 A/cm2.交流阻抗图谱分析表明随着x的增加,样品的电阻呈增大趋势.活化能Ea随x增加而依次降低,进一步说明其损耗呈逐渐降低趋势.随着x的增加,样品的磁性能得到一定改善.

关键词: BiFeO3陶瓷 , 玻璃添加 , 漏导电流

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