张祖伟
,
胡陈果
,
奚伊
材料导报
ZnO作为一种被人们广泛研究的具有优良性质的半导体材料,在具有了纳米带状结构之后,展现出了更多的奇特性质.主要介绍了ZnO纳米带的合成以及ZnO纳米带二极管、激光器、微悬臂和声学谐振器等4种基于ZnO纳米带的纳米器件的制作及其性能的研究.
关键词:
ZnO
,
纳米带
,
二极管
,
激光器
,
微悬臂
,
声学谐振器
乔红超
,
赵吉宾
,
陆莹
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2016.01.001
激光等离子体冲击波应用技术以其节能、高效、可控性强等优点,受到了众多研究者的广泛关注. 综述了激光等离子体冲击波作用效应,分析了靶表面等离子体和激光维持的爆轰波对靶冲量传递的影响,重点介绍了利用激光等离子体冲击波效应的两项技术——激光冲击强化技术和激光推进技术. 通过对比国内外技术的优势,系统考察了激光冲击强化技术和激光推进技术的原理和应用研究现状,并分析了未来应用研究的趋势. 移动式短脉冲大能量激光器的研制将是未来的一个重要研究方向,需从理论和试验两个方面研究激光参数、环境参数和靶材参量对激光与靶相互作用产生的激光等离子体冲击波效应和声波效应的影响,探索激光等离子体声波和激光等离子体冲击波力学效应的关系. 大能量激光器的体积大,环境要求高,稳定性差,要想真正把激光等离子体冲击波效应应用于实际,就需要开发稳定性好的短脉冲、大能量移动式激光器,提高激光等离子体冲击波效应应用系统的机动性、方便性和可靠性.
关键词:
激光冲击强化
,
激光推进
,
等离子体
,
冲击波
,
激光器
刘盛
,
张永刚
材料导报
锑化物激光器在2～5μm波段具有广阔的应用前景.综述了锑化物激光器的研究进展,重点论述了材料生长、结构设计、器件工艺、封装技术以及新的器件结构,讨论了其中存在的主要技术问题,并指出了锑化物激光器不断向长波长方向扩展的趋势.
关键词:
分子束外延
,
锑化物
,
激光器
郑燕兰
,
李爱珍
,
林春
,
李存才
,
胡建
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.038
用固态源MBE技术生长了AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱材料,研究了通过改变多量子阱AlGaAsSb/InGaAsSb中的结构参数,如多量子阱中InGaAsSb的阱宽,AlGaAsSb的垒宽及垒层中Al组分和阱层中的In组分,多量子阱中的阱数等,来提高AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱的PL强度.
关键词:
AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱
,
PL强度
,
激光器
徐遵图
,
张敬明
,
马骁宇
,
刘素平
,
刘忠顺
,
方高瞻
,
肖建伟
,
陈良惠
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.041
报道了915～980nm半导体激光器的最新进展,宽条激光器输出功率为0.2～2.0W,最大输出功率大于5W;基横模脊形波导半导体激光器输出功率达400mW,水平和垂直方向远场发射角分别为70和230,组合件输出功率大于150mW.
关键词:
980nm
,
应变量子阱
,
激光器
李忠辉
,
王向武
,
张宝顺
,
杨进华
,
张兴德
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.024
设计并利用LP-MOCVD生长了InGaAsP/GaAs分别限制单量子阱结构,采用无铝的InGaP做光学包层.腔面未镀膜情况下,测试10支条宽100μm,腔长1mm的激光器样品,连续输出功率超过1W,阈值电流密度为330～490A/cm2,外微分量子效率为55%～78%,中心发射波长为(808±3)nm.
关键词:
分别限制结构
,
单量子阱
,
激光器
张伶莉
,
孙秀冬
,
刘永军
,
陈丹
,
荀显超
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132805.0679
制备具有外部谐振腔的胆甾相液晶激光器件.采用镀有多层膜的ITO玻璃作为基板,取向后制备1D-PC/CLC/1D-PC结构的胆甾相液晶激光器件.该激光器件在532 nm的Nd:YAG倍频脉冲激光器泵浦下能够出射双模激光.出射激光峰位分别位于600 nm和650 nm,对应于胆甾相液晶的短波边缘和长波边缘,并且激光的发射阈值明显低于普通的盒式胆甾相液晶激光器件.此激光器件可以通过电压控制在单模发射和多模发射之间切换,电控的阈值电压仅为6V.
关键词:
激光器
,
胆甾向液晶
,
多层膜
