王丽晖
,
高晓军
,
张虹
,
武吉生
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2009.02.032
采用日立公司Z-2000原子吸收光谱仪对生铁中痕量砷和铅进行测定并讨论相关的实验条件,石墨管性能比较、酸的选择、试剂空白的控制、干扰因素及消除、基体改进剂的选择、加热参数的选择、共存离子的影响等.用10 g/LNi(NO3)2作基体改进剂,提高砷的灰化温度,检测信号得到扩大,回收率为102%和105%.方法的相对标准偏差为4.73%和4.09%,As的线性范围为0～80μg/L,Pb的线性范围为0～100μg/L.
关键词:
石墨炉原子吸收法
,
基体改进剂
,
痕量
,
灰化
,
原子化
王丽晖
,
严永茂
,
赵改丽
,
李贵才
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2007.04.019
采用日立公司Z-2000原子吸收光谱仪对铬镍钢中痕量砷和硒进行测定并讨论相关的实验条件.以质量浓度为0.1 mg·mL-1的Mg(NO3)2作基体改进剂,提高砷和硒的灰化温度,检测信号得到扩大.回收率为104%和106%.方法的相对标准偏差为3.29%和3.76%,特征质量为0.73 μg·L-1和0.75 μg·L-1.检出线为1.40 μg·L-1和1.13 μg·L-1.该方法简便、快速、稳定、准确度高.
关键词:
石墨炉原子吸收法
,
基体改进剂
,
痕量砷和硒
,
灰化
,
原子化
刘翔
,
王章涛
,
崔祥彦
,
邓振波
,
王海军
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.02.012
光刻胶灰化是薄膜晶体管四次光刻工艺的核心工艺之一.初步研究了用纯O2对光刻胶进行灰化的工艺,影响光刻胶灰化的主要因素有功率、气压和灰化气体的流量,经过一组正交实验,得到了功率、气压、灰化气体的流量对光刻胶的灰化速率和均匀度的影响趋势.结果表明,功率是影响灰化速率的主要因素.通过不断地优化光刻胶的灰化条件,最终得到了理想的灰化条件,即功率为10500W,气压为26.7 Pa,O2的流量为2000mL/min,灰化时间为91s.
关键词:
薄膜晶体管
,
四次光刻
,
光刻胶
,
灰化
白金超
,
张光明
,
郭总杰
,
郑云友
,
袁剑峰
,
邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153004.0616
研究各膜层对灰化速率的影响,增强对灰化工艺的了解,为四次光刻工艺改善提供参考.采用探针台阶仪测量在相同灰化条件下不同膜层样品的灰化速率和有源层损失量,对结果进行机理分析和讨论.实验结果表明:有源层会降低灰化速率,源/漏金属层可以增大灰化速率,栅极金属层对灰化速率无影响.对于正常膜层结构的阵列基板,源/漏层图形密度越大,灰化速率越小,图形密度每增大1％,灰化速率下降14 nm/min.有源层和源/漏金属层对灰化等离子体产生影响,从而影响灰化速率.
关键词:
薄膜晶体管阵列工艺
,
四次光刻
,
光刻胶
,
灰化
杨倩倩
,
何石
,
胡月
,
彭霞
,
李美玲
冶金分析
doi:10.13228/j.boyuan.issn1000-7571.009712
高纯石墨作为优异的功能材料被广泛应用于国防和航空航天等产业,其对痕量杂质元素含量的要求也逐年提高,目前所用的测试方法检出限都较高,已不能满足日益增长的测试需求.实验将1 g高纯石墨样品置于1 100℃马弗炉中灰化至完全;取出冷却,加入3 g助熔剂(m(H3BO3)∶m(Na2CO3)=1∶2),再次放入马弗炉中,在1 100℃下加热熔融40 min至熔液澄清;取出冷却,使用盐酸(1+1)溶解盐类.采用Al 396.152 nm、Ca 396.847 nm、Cr 267.716 nm、Cu 324.754 nm、Fe 238.204 nm、Mg 279.553 nm、Ni 231.604 nm、Si 251.612 nm、Zn 213.856 nm作为分析线,建立了使用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测定高纯石墨中铝、钙、铬、铜、铁、镁、镍、硅和锌等9种杂质元素的方法.结果表明,铝、钙、铬、铜、铁、镁、镍、硅和锌的质量浓度在0.50～500 μg/mL范围内与发射强度呈线性,校准曲线的线性相关系数均大于0.999 5;方法中各元素的检出限为0.037～0.87 μg/g.将方法应用于高纯石墨样品中9种杂质元素的测定,测定结果与电感耦合等离子体质谱法的测定结果相吻合,相对标准偏差(RSD,n=7)均小于6.0％,回收率为93％～108％.
关键词:
灰化
,
碱熔
,
电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)
,
高纯石墨
,
杂质元素
